テクノロジー
Samsungが10nm以下のDRAMを実現する画期的な成果を発表：「InGaO垂直チャネル技術」の全貌とは
半導体業界において、長らく「物理的な限界」と囁かれてきたDRAMの微細化競争に、新たなブレイクスルーがもたらされた。 Samsung ElectronicsとSamsung Advanced Institute of T […]
Term
CoP構造
別名: Cell-on-Peri, COP
Overview
最終更新: 2026年7月9日データの入出力を制御する論理回路（周辺回路）の上に、データを記憶するメモリセルを垂直に積み上げる技術である。従来の平面的な配置に比べてチップ全体の占有面積を劇的に縮小できるため、メモリのさらなる高密度化が可能になる。NANDフラッシュメモリでは既に導入されているが、DRAMでは製造時の高温プロセスが下層の回路に悪影響を及ぼすため、熱管理が実用化の大きな課題となっていた。
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