垂直チャネルトランジスタ

従来の平面型トランジスタとは異なり、電子の通り道であるチャネルを垂直方向に立てた構造を持つ。これにより、チップ上の占有面積を最小限に抑えながら、十分なチャネル長を確保してリーク電流を抑制できる。10nm以下の極微細なDRAM製造において、従来の平面構造の限界を突破するための必須技術とされており、新材料であるInGaOとの組み合わせにより、さらなる高集積化と低消費電力化が期待されている。