InGaO

非晶質（アモルファス）構造を持つ酸化物半導体の一種である。従来のシリコンに比べて低温でのプロセスが可能でありながら、550℃程度の熱処理にも耐えうる特性を持つ。この性質により、周辺回路の上にメモリセルを積層するCoP構造において、下層の回路を熱で損傷させることなく上層に高性能なトランジスタを形成できるため、10nm以下の微細なDRAMを実現する鍵として注目されている。