テクノロジー
Samsung、革新的な次世代メモリ「3D DRAM」を2025年に発売へ
Samsungは、米国で開催された世界半導体会議「MEMCON 2024」で、関係者に向けて3D DRAMの開発ロードマップを発表した。それによれば、同社は2025年に半導体業界では初となる3D DRAMを発表するという […]
Term
垂直チャネル・トランジスタ
別名: VCT, Vertical Channel Transistor
Overview
最終更新: 2026年7月9日半導体素子において、電流の通り道であるチャネルを基板に対して垂直に形成する技術。平面構造に比べて素子の占有面積を縮小でき、3D DRAMなどの高密度な積層デバイスを実現するための鍵となる技術の一つ。