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Gate All Around

Gate All Around(GAA)は、トランジスタのゲートがチャネルの四方を完全に囲む構造を持つ次世代トランジスタ技術で、FinFETの後継として2nmノード以降での採用が進み、リーク電流の抑制と性能向上を両立する。

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