シリコン限界の救世主か。東大チームが開発した「1nm極細チューブ」が次世代半導体の常識を覆す
東京大学の中西准教授らは、窒化ホウ素ナノチューブを鋳型に用いることで、直径1ナノメートルの極細な二硫化モリブデンナノチューブの合成に成功した。この手法は、原子配列が均一で安定した半導体特性を持つため、次世代の極小トランジスタ実現への道を切り拓く。
別名: GAA, GAAFET, Gate-All-Around
Gate-All-Around (GAA) is an advanced transistor architecture designed to replace FinFET. By wrapping the gate around all sides of the channel, it provides better electrostatic control, reduced leakage current, and improved power efficiency, enabling further scaling of semiconductor process nodes.
東京大学の中西准教授らは、窒化ホウ素ナノチューブを鋳型に用いることで、直径1ナノメートルの極細な二硫化モリブデンナノチューブの合成に成功した。この手法は、原子配列が均一で安定した半導体特性を持つため、次世代の極小トランジスタ実現への道を切り拓く。
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コンピューターチップの基本的な構成要素の一つ、「トランジスタ」に10年に一度の大きな技術的革新が起きようとしている。この技術は、今後の半導体業界の勢力図を塗り替える可能性があるほど大きな変化をもたらすと言われている。 そ […]
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台湾のチップメーカーTSMCの2nmプロセスが正式に量産に移されるまで、同社の計画ではまだ2年程かかる事が分かっている。場合によっては遅延することもあるかも知れない。だが1つ確実なことがある。このTSMCの最先端ノードを […]