Gate-All-Around

Gate-All-Around（GAA）は、半導体のトランジスタ構造の一種で、従来のFinFET構造の限界を打破するために開発された次世代技術である。電流が流れるチャネルの全周囲をゲートが囲む構造により、優れた静電制御を可能にし、リーク電流の抑制と消費電力の低減、性能向上を同時に実現する。TSMCは2nmプロセスからの導入を予定しており、製造難易度とコストが大幅に上昇する要因の一つとなっている。