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GAAトランジスタ

GAAトランジスタとは、ゲート電極がチャネルを四方から完全に囲む構造を持つ次世代トランジスタ技術である。FinFETの後継として2nm世代以降の半導体製造プロセスで採用が進む中核技術となっている。

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