テクノロジー
中国メモリ最大手CXMT、DDR4生産を国策で電撃終了へ：DDR5・HBMシフトが招く市場の激変とAI覇権の行方
中国のメモリ大手、長鑫存儲技術（CXMT）が、DRAM市場に大きな影響を与える動きを見せている。同社は、比較的最近量産を開始したばかりのDDR4メモリの生産を大幅に縮小し、次世代のDDR5およびAI（人工知能）分野で需要 […]
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メモリ・ストレージ
Memory & Storage
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テクノロジーPhison、Computex 2025でPCIe Gen 6 SSDコントローラ「PT1601」を世界初公開： 単レーン64Gbpsの超高速時代が幕開け
2025年5月23日、台湾・台北で開催されたアジア最大級のICT見本市「Computex 2025」において、SSDコントローラ開発の雄であるPhison Electronics (以下、Phison) が、次世代規格P […]
テクノロジーSK hynix、世界最高321層NAND搭載UFS 4.1ストレージ発表：薄型・高性能でオンデバイスAI時代を加速、PC SSDも視野に
韓国のメモリ大手SK hynixは、世界最高層となる321層1Tb TLC（Triple Level Cell）4D NANDフラッシュメモリを採用したUFS (Universal Flash Storage) 4.1ソ […]
テクノロジーNVIDIA、次世代メモリSOCAMMの採用を「Rubin」まで延期か？ Blackwellでのデビュー見送りの背景とAI戦略への影響
NVIDIAが、次世代の低電力DRAMモジュール「SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module)」の商用化計画に調整を加えた模様だ。当初、今年後半に市場 […]
テクノロジーSamsung、HBM4に革新技術「ハイブリッドボンディング」採用か？ 発熱抑制と帯域幅の限界突破に期待
AI（人工知能）やHPC（高性能コンピューティング）の進化が加速する中、その性能を左右するメモリ技術への要求は高まる一方だ。Samsung Electronicsが、次世代広帯域メモリ「HBM4」において、発熱問題の抜本 […]
テクノロジーiPhone 20周年記念モデルは驚愕の機能の数々を搭載？完全ベゼルレス、次世代バッテリー、HBM搭載でAI性能も劇的進化との噂
2027年、初代iPhoneの登場から20年という大きな節目を迎える。この記念すべき年に、Appleが再び世界を驚かせるような革新的なiPhoneを準備しているとの情報が、海外メディアやサプライチェーン情報筋からもたらさ […]
テクノロジーWD、セラミック超長期保存技術のCerabyteに戦略投資：”ヨタバイト”時代を見据える
デジタルデータが爆発的に増加し続ける現代において、その情報をいかに安全かつ永続的に保存するかは、企業や研究機関にとって喫緊の課題となっている。こうした中、ハードディスクドライブ（HDD）およびNAND型フラッシュメモリの […]
テクノロジーSanDisk、世界最速を謳う「WD_BLACK SN8100 PCIe Gen5 SSD」を発売
SanDiskのゲーミングブランドWD_BLACKから、待望のPCIe Gen5対応NVMe SSD「SN8100」が遂に登場した。最大14,900MB/sという驚異的な読込速度と共に、効率もアップしており、海外のテクノ […]
テクノロジーIntel Arrow LakeがPCIe 5.0 SSDの性能を制限している可能性が浮上
Intelの最新CPU「Arrow Lake」（Core Ultra 200Sシリーズ）を搭載した環境で、最新規格であるPCIe 5.0対応のSSDが、本来持つべき性能を十分に発揮できないという衝撃的なテスト結果が明らか […]
テクノロジーSanDiskが新SSDコントローラ「Stargate」を発表、2027年に512TB SSD実現へ
SanDiskが、エンタープライズ向けSSDの未来を大きく左右する可能性を秘めた新しいSSDコントローラ「Stargate」を公表した。同社CEOであるDavid Goeckelerが「ダイナマイト・プロジェクト」と称す […]
テクノロジーSeagate、AI時代のデータ爆発に応え100TB HDDを2030年投入へ
データストレージ大手のSeagateが、AI（人工知能）の爆発的な需要に応えるべく、2030年までに現行比約3倍となる100テラバイト（TB）の大容量ハードディスクドライブ（HDD）を開発する計画を明らかにした。この野心 […]
テクノロジーNEO Semiconductor、革新的メモリ技術「3D X-DRAM」を発表：IGZO技術で容量10倍、リテンション450秒を達成
米・NEO Semiconductorが、メモリ業界に大きな変革をもたらす可能性を秘めた新たな3D X-DRAM技術、「1T1C（1トランジスタ・1キャパシタ）」および「3T0C（3トランジスタ・0キャパシタ）」ベースの […]
