チャージトラップフラッシュ

NANDフラッシュメモリのメモリセル構造の一種で、窒化シリコンなどの絶縁体層にある「トラップ」と呼ばれる領域に電子を捕捉してデータを記録する方式。従来の浮遊ゲート方式と比較してセル間の干渉が少なく、垂直方向に積層する3D NAND構造に適しており、製造プロセスの簡素化やスケーラビリティの面で利点がある。SK hynixやSamsungなど、現在の主要なメモリメーカーの多くがこの方式を採用している。