QLC

QLC（Quad-Level Cell）とは、1つのNANDフラッシュメモリセルに4ビットのデータを記録する多値記録技術である。1セルあたりのビット数を増やすことでセル面積あたりの記録容量を高め、SLC（1ビット）、MLC（2ビット）、TLC（3ビット）に続く高密度化の延長線上に位置する。その代償として書き換え耐性や読み書き速度はTLCより劣る傾向があり、用途や制御技術の工夫が求められる。

概要

QLCセルは16段階の電圧状態を識別して4ビットを表現するため、同じ物理面積でTLCより約33%多いデータを格納できる。一方で電圧レベルの間隔が狭くなる分、ビットエラー率が上がりやすく、書き換え可能回数（P/Eサイクル）もTLCより少なくなる傾向がある。このためコントローラ側での誤り訂正強化やウェアレベリング、DRAMレス設計時のHMB（Host Memory Buffer）活用など、ソフトウェア・制御技術による補完が重要になっている。

技術的位置づけ

QLCは当初、読み出し中心でコスト重視のコンシューマー向けSSDや、アーカイブ用途の大容量ストレージに適した技術として位置づけられてきた。しかし近年は3D NANDの積層数増加（300層級）によりセルあたりの耐久性や速度の課題が緩和されつつあり、AIデータセンター向けの大容量ストレージとしての採用も広がっている。キオクシア、Sandisk、Samsung、SK hynix（Solidigm）といった主要NANDメーカーが、QLCを軸にした高密度製品の開発競争を続けている。

主要な動向

2026年6月3日にはキオクシアが、AI需要によるNAND需給逼迫を背景に2026年分の在庫が全量完売する見通しを示し、廉価SSD時代の終焉を印象づけた。同年6月8日には同社がクライアント向けSSD新シリーズ「BG8」と「EG7」を発表し、このうちEG7はQLC NANDを採用してコストパフォーマンスを重視する設計とした。6月25日にはSamsungが自社開発のRISC-Vコントローラを搭載したPCIe 5.0対応QLC SSD「BM9K1」を中国のイベントで披露している。

7月に入ると、7月3日にキオクシアが332層の第10世代BiCS FLASHを用いた1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始し、同世代技術がQLC製品にも展開される基盤となった。7月22日にはTrendForceが、既存ラインの高密度化や中国勢の増産を背景にNAND不足が2027年後半に緩和するとの見通しを示した。

8月に入ってからは動きがさらに活発化している。8月5日にキオクシアとSandiskは、332層のQLC 3D NANDフラッシュで面積密度37Gb/mm²を達成したと発表し、層数で先行するSamsungのV10を密度面で上回ったと説明した。CBAアーキテクチャやToggle DDR6.0、PI-LTT技術の組み合わせにより、密度・速度・省電力性を同時に高めたとしている。8月8日にはSK hynixの米NAND子会社Solidigmが50兆ウォンの評価額でNasdaq上場に向けたpre-IPO調達を開始したと報じられ、AI需要によるNAND市場の急成長が背景にあるとされた。さらに8月12日には、SK hynixが中国・大連のNAND生産を2027年に月15万枚規模へ引き上げる計画が浮上し、QLCを含む高密度NAND供給体制の拡充が引き続き業界の焦点となっている。