浮遊ゲート

NANDフラッシュメモリのメモリセル構造の一種で、周囲を絶縁体で囲まれた導電性のポリシリコン層（浮遊ゲート）に電子を蓄えることでデータを記録する方式。IntelやMicronが長年採用してきた技術であり、電荷の保持特性に優れ、特に多値化（QLCなど）において高い信頼性を発揮する。しかし、セルの微細化に伴う隣接セル間の干渉が課題となり、多くのメーカーはチャージトラップ型への移行を進めている。