Term

プラズマエッチング

別名: Plasma etching

Overview

最終更新: 2026年7月9日

プラズマエッチングは、反応性の高いガスをプラズマ化し、その化学反応やイオンの衝突を利用して半導体ウェハー上の特定の材料を削り取る技術である。微細な回路パターンを形成するために不可欠な工程であり、特に3D NAND製造では、積層された多層膜に対して深く垂直な穴を形成する「高アスペクト比エッチング」が重要な課題となっている。

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