3D NAND

メモリセルを縦方向に積み重ねることで、単位面積あたりの記憶容量を飛躍的に高めたフラッシュメモリの構造。従来の2D（平面）NANDの微細化限界を打破するために開発された。積層数（層数）が多いほど高密度化が可能であり、主要メーカーは200層から400層を超える超多層化を競っている。データセンター向けの大容量SSDを実現するための基幹技術である。