ナノシート・トランジスタ

従来のフィン型トランジスタ（FinFET）の限界を克服するために開発された、次世代のトランジスタ構造。ゲートがチャネルの全周囲を囲む構造（GAA: Gate-All-Around）の一種で、電流の制御性を高め、リーク電流を抑えつつ性能を向上させることができる。TSMCの2nmプロセスから本格的に導入される予定。