N2プロセス

N2プロセスは、台湾TSMCが開発を進める2ナノメートル世代の先端半導体製造プロセスである。同社として初めてGAA（Gate All Around）構造のトランジスタを採用し、従来のFinFET構造からの技術的転換点となる。2025年後半の量産開始が計画されており、性能・電力効率の両面で前世代のN3系列からの大幅な改善が見込まれている。

概要

N2はTSMCの最先端ロードマップにおいてN3系列の次に位置するノードであり、GAAFET（ゲート・オール・アラウンド型トランジスタ）を初めて量産投入する点が最大の特徴である。GAA構造はチャネル全体をゲートで囲むことでリーク電流を抑え、微細化に伴う性能低下を抑制できるとされる。TSMCの発表によれば、性能と歩留まりの目標はほぼ達成されており、当初計画通りのスケジュールで量産へ移行できる見通しが示されている。

技術的位置づけ

N2はスマートフォンSoCやデータセンター向けCPU・アクセラレータなど、電力効率と処理性能の両立が求められる用途で採用が進む。一方でGAAトランジスタは軍事・先端技術としての性格も持ち、2026年6月には米国政府が中国によるGAAトランジスタ技術やHBMへのアクセス制限を検討しているとの報道もあり、地政学的な輸出管理の対象としても注視されている。またTSMCはN2と並行して、パワー半導体や超低消費電力アプリケーション向けの特殊ノード「N4e」も発表し、特殊ノード全体の生産能力を50％増強する方針を示している。

主要な動向

2026年5月には、TSMCのN2ノードが2025年後半に登場し、性能・歩留まりの目標がほぼ達成された状態で計画通り量産開始に向かっていることが明らかになった。同時期にはN4eノードの発表と特殊ノード生産能力の増強方針も示されている。2026年6月にはApple「A20」チップとiPhone 18シリーズに関する報道があり、iPhone 18 Pro向けA20 ProチップはN2プロセスと新パッケージング技術WMCMを採用し、AI処理と電力効率の向上を図る一方、ベースモデルのiPhone 18はDRAM供給不足からWMCMを見送りメモリを12GBに増強するとされた。同月にはGoogleの次期Pixel 11に搭載されるTensor G6がTSMCのN2プロセスへ移行するとの見方も示され、電力効率と通信性能の改善が期待される一方、HBM需要増によるLPDDR5X価格高騰の影響でRAM構成が抑えられる可能性が指摘された。またAgentic AIの台頭によるデータセンター向けCPU需要の急増が、最先端プロセスの生産枠を巡る競争を招き、コンシューマー向けCPU価格の上昇にもつながっているとの分析も出ている。さらに同月には、AppleがTSMCのA16（1.6nm相当）プロセスをスキップし、より先進的なA14（1.4nm）に直行する戦略を採ることで、2028年後半のA14量産や2029年のサブ1nm世代A10試験生産に向けたTSMCとの関係強化が見込まれるとの報道もあり、N2はこうした一連の先端プロセス競争の起点として位置づけられている。