テクノロジー
TSMCが次世代メモリ技術「C-HBM4E」を発表：N3Pロジックダイ採用で電力効率2倍。AIメモリは「記憶」から「演算」の領域へ
アムステルダムで開催された「Open Innovation Platform Ecosystem Forum」において、世界最大のファウンドリTSMCが提示した次世代メモリ技術「C-HBM4E」の詳細は、AI半導体の進化 […]
Tech Product
C-HBM4E
別名: Custom HBM4E
Overview
最終更新: 2026年7月9日C-HBM4Eは、TSMCが提唱する次世代のカスタム高帯域幅メモリ（HBM）規格です。従来のHBMとは異なり、最下層のベースダイにTSMCの最先端ロジックプロセス（N3Pなど）を採用することで、電力効率を劇的に向上させ、メモリコントローラやPHYの直接統合を可能にします。これにより、AI処理におけるデータ転送のボトルネック解消と低消費電力化を同時に実現します。