サイエンス
半導体の「平屋建て」時代を終わらせる大ブレイクスルー:200℃の低温転写が実現したシリコン・モノリシック3Dという摩天楼
UIUCの研究チームは、シリコンチップを直接積み上げる「モノリシック3D統合」において、熱による回路破壊を防ぐ新技術を開発した。極薄の単結晶シリコンを低温で転写し、ジャンクションレス構造を採用することで、性能を維持したまま積層の限界を打破した。
別名: Monolithic 3D Integration, 一体型3D統合
モノリシック3D統合は、従来のチップを個別に製造して重ね合わせる「3Dパッケージング」とは異なり、一つの基板上でトランジスタや配線を垂直方向に一段ずつ積み上げていく技術である。層間の接続をナノメートルスケールの微細なビアで行えるため、既存のTSV方式と比較して接続密度を10倍から100倍以上に高めることが可能。データの移動距離を短縮し、帯域幅を劇的に向上させる次世代の半導体構造として期待されている。