サイエンス
半導体の「平屋建て」時代を終わらせる大ブレイクスルー:200℃の低温転写が実現したシリコン・モノリシック3Dという摩天楼
UIUCの研究チームは、シリコンチップを直接積み上げる「モノリシック3D統合」において、熱による回路破壊を防ぐ新技術を開発した。極薄の単結晶シリコンを低温で転写し、ジャンクションレス構造を採用することで、性能を維持したまま積層の限界を打破した。
別名: Silicon Nanomembrane
シリコンナノメンブレンは、バルクのシリコンウェハーから剥離、あるいは特殊な工程で形成された、厚さ10ナノメートル程度の極薄単結晶シリコン膜である。非常に薄いため柔軟性に富み、サランラップのように下地の凹凸に密着させることができる。この特性を利用して、あらかじめ高温で処理した高品質なシリコン層を、熱に弱い下層回路の上に低温で「転写」することが可能になり、モノリシック3D統合の実現における鍵となっている。