
IBM、2nmより50%速く70%省エネな「0.7nm」ナノスタック技術の開発に成功
IBMが世界初のサブ1nm半導体技術「ナノスタック」を発表。トランジスタを3次元に積層する新設計で爪サイズのチップに約1000億個を集積し、2nmチップ比で最大50%の性能向上または70%の省エネを実現した。量産化は5年後の見通しで、Rapidusなどとの製造ライセンス展開が焦点になる。
別名: Static Random Access Memory, スタティック・ランダム・アクセスメモリ, 静的ランダムアクセスメモリ, SRAM
SRAM(Static Random Access Memory)は、フリップフロップ回路を用いてデータを保持する高速な半導体メモリである。リフレッシュ動作を必要とするDRAMとは異なり、電源が供給されている限りデータを保持し続ける静的な記憶方式を特徴とする。動作速度が非常に高い一方でセル面積が大きくコストも高いため、大容量メモリではなくCPUのキャッシュメモリなど限定的な用途に用いられる。
SRAMは一般に6個のトランジスタで1ビットを構成するセル構造を持ち、読み書きにクロック単位でのアクセスが可能なほど高速に動作する。DRAMのようなキャパシタへの電荷蓄積とリフレッシュ機構を持たないため、回路構成が単純である一方、セルあたりの占有面積が大きく、ビットコストが高くなる。この特性から、SRAMは大容量ストレージ用途には向かず、プロセッサに近接して配置される小容量・高速アクセス領域に適している。
現代のCPUやSoCでは、L1・L2・L3といった階層的キャッシュメモリの多くがSRAMで構成されている。プロセッサコアとの物理的距離が近く、DRAMやHBMのような外部メモリへのアクセスに比べてレイテンシが極めて小さいため、演算性能を引き出す上で欠かせない役割を担う。半導体プロセスの微細化が進むにつれ、SRAMセルの縮小ペースはロジックトランジスタに比べて鈍化する傾向があり、チップ面積に占めるSRAMの比率が課題として指摘されることも多い。こうした背景から、IBMが発表したナノスタックのような3次元積層技術や、シリコン・モノリシック3D構造といった新たな集積手法が、SRAMを含むメモリ階層全体の効率化に寄与する技術として注目されている。
近年、大規模言語モデルの推論コスト削減を目的として、SRAMを主体としたメモリアーキテクチャを採用するAI推論チップの開発が活発化している。2026年6月には、AnthropicがDRAMを用いない推論チップの開発を進める英国スタートアップFractileとの交渉を開始したことが明らかになった。Fractileが提案するMemory Compute Fusionアーキテクチャは、プロセッサとメモリ間のデータ転送をボトルネックとするDRAM依存構成を排し、チップ内に大量のSRAMを配置することで演算ユニットとメモリを密結合させ、既存のGPU構成に比べて大幅な速度向上とコスト削減を目指すものである。この動きは、DRAMのアクセス遅延が推論性能とコストの双方に影響を及ぼすという課題に対し、SRAMの高速性を最大限に活用する設計思想が改めて評価されていることを示している。同時期には、Appleが発表した「AFM 3」のように、限られたメモリ資源の中で必要な知識のみを動的に展開する手法も報告されており、メモリ階層全体の使い方を見直す動きがAI業界全体で広がっている。こうした潮流の中で、SRAMは単なるキャッシュメモリの構成要素という位置づけを超え、AI推論チップの性能とコスト構造を左右する中核的な設計要素として再評価されつつある。

IBMが世界初のサブ1nm半導体技術「ナノスタック」を発表。トランジスタを3次元に積層する新設計で爪サイズのチップに約1000億個を集積し、2nmチップ比で最大50%の性能向上または70%の省エネを実現した。量産化は5年後の見通しで、Rapidusなどとの製造ライセンス展開が焦点になる。

Appleは、必要な知識のみをDRAMに展開する新技術により、スマートフォンのメモリ制約を克服し巨大なAIを動かす手法を発表した。この動的プルーニング技術は、推論時の遅延を抑えつつ、限られたリソースで高性能な知能を実現する画期的な成果である。

UIUCの研究チームは、シリコンチップを直接積み上げる「モノリシック3D統合」において、熱による回路破壊を防ぐ新技術を開発した。極薄の単結晶シリコンを低温で転写し、ジャンクションレス構造を採用することで、性能を維持したまま積層の限界を打破した。

大規模言語モデルの推論コストが利益を圧迫する中、AnthropicはAI推論チップの自前調達を急いでおり、未製造の英国スタートアップFractileと交渉を進めている。Fractileは、プロセッサとメモリ間のボトルネックを解消するMemory Compute Fusionアーキテクチャを提案し、既存GPU比で25倍速くコスト10分の1の推論を目指している。

東京大学の共同研究チームは、非共線型反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを積層した磁気トンネル接合において、運動量空間に生じる「幻の磁極」を利用することで、最大1000%の巨大なトンネル磁気抵抗効果を理論的に証明した。これは、外部に磁場を漏らさない反強磁性体から磁気情報を読み出すという長年の課題を解決し、超高速かつ不揮発性の次世代メモリ実現への道を開く画期的な成果である。

NVIDIAがAI界の寵児であるOpenAIに対し、最大300億ドル(約4兆5,000億円)にのぼる巨額出資に向けた協議を進めていることが明らかになった。この投資は、OpenAIが計画している総額1,000億ドル規模の資 […]

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2025年12月25日、テクノロジー業界に激震が走った。AI半導体の絶対王者であるNVIDIAが、AI推論チップのスタートアップであるGroqの資産と人材を獲得するため、約200億ドル(約3兆円規模)という巨額の資金を投 […]

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