ジャンクションレス・トランジスタ

ジャンクションレス・トランジスタは、1925年に理論が提唱された構造で、ソース、ドレイン、チャネルのすべてが同じ導電型（p型またはn型）で構成される。従来のMOSFETのようなpn接合を持たないため、製造工程における複雑なドーピングや高温の熱処理を大幅に削減できる利点がある。チャネルを極めて薄くすることで、ゲート電界によるキャリアの完全な空乏化が可能となり、低温プロセスでの製造が求められる3D積層チップに適している。