テクノロジー
iPhone 16シリーズは全モデルが8GB RAMを搭載するがオンデバイスAIにはまだ足りない
AppleのiPhoneはAndroidと比較して少ないRAMでも効率的に動作すると主張されており、ハイエンドのAndroidスマートフォンが12～16GB、場合によっては24GBのRAMを搭載するのに比較して、iPho […]
Term
DRAM
DRAMとは、Dynamic Random Access Memoryの略で、コンピュータの主記憶装置として広く使用される揮発性メモリの代表的な種類だ。Samsung、SK hynix、Micronの3社が世界シェアの約90%を占め、AI向けHBMやスマートフォン向けLPDDRなど多岐にわたる用途で需要が拡大している。
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テクノロジーMicron、次世代グラフィックボード向け「GDDR7」メモリのサンプル出荷を開始、搭載製品は2024年後半登場
Micronは、次世代GDDR7メモリのサンプル出荷を開始した事を発表した。メモリ転送速度は実に32Gb/sとなり、帯域幅は1.5TB/sを実現するこのGDDR7は、GDDR6から最大60％の帯域幅向上を実現しており、N […]
テクノロジーSamsungのAI向けHBM3/HBM3Eチップは熱と消費電力の問題からNVIDIAのテストに合格できなかった
以前は圧倒的な力を持っていたSamsungの半導体部門はここ数年不振が伝えられることが多い。最も印象的だったのはGalaxy S22のExynosチップや、QualcommのSnapdragon 8 Gen 1チップの発 […]
テクノロジー中国政府、AI開発のため高性能メモリ（HBM）の国内製造を目指し中国企業への支援を強化
The Informationの報道によると、Huaweiを中心とする中国チップメーカーのコンソーシアムは、2026年までにAIアプリケーション用の広帯域幅メモリ（High Bandwidth Memory: HBM）チ […]
サイエンス夢のメモリの実現か？実用的な相変化メモリの製造に成功と韓国の研究者が報告
我々が一般的に使用しているコンピューティングデバイスに使用されているDRAMは、高速ではあるが、揮発性でもあるため、電源を切るとデータを保持できなくなる性質がある。そのため、データ・ストレージとしては使い物にならない。一 […]
テクノロジーSK hynix、HBM4及び次世代パッケージング技術開発でTSMCと提携
SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー（HBM）の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより […]
テクノロジーSamsung、革新的な次世代メモリ「3D DRAM」を2025年に発売へ
Samsungは、米国で開催された世界半導体会議「MEMCON 2024」で、関係者に向けて3D DRAMの開発ロードマップを発表した。それによれば、同社は2025年に半導体業界では初となる3D DRAMを発表するという […]
テクノロジー台湾の大地震が世界の半導体産業に大きな影響を与える
4月3日8時58分頃（日本時間）、台湾東部の花蓮県沖およそ25キロを震源とするマグニチュード7.4の地震が発生した。台湾に加え、同じ海に接する日本とフィリピンでは津波警報が発令された。台湾の消防当局は午後3時までに4人が […]
テクノロジーSK hynix、「世界最大のメガファブ複合施設」に総額13兆円を投資、2027年に最初のファブが稼働へ
SK hynixは、2025年3月に龍仁半導体クラスターと呼ばれるメガファブ複合施設の建設を開始し、2046年に完成する予定だ。 2046年の全稼働を目指す世界一のメガファブ複合施設 韓国通商産業エネルギー省の声明による […]