ゲートオールアラウンド

半導体のトランジスタ構造の一種で、電流が流れるチャネルの全周囲をゲートが囲む構造のこと。従来のFinFET構造に代わる次世代技術として、2nm以下の微細プロセスでの採用が進んでいる。ゲートによるチャネルの制御性が高まるため、リーク電流を抑えつつ、動作電圧の低減と性能向上を両立させることが可能になる。