High-NA EUVリソグラフィ

High-NA（高開口数）EUVリソグラフィは、波長13.5nmの極端紫外線を用いる露光技術をさらに進化させた、半導体製造の最先端技術である。従来のEUV装置の開口数（NA）を0.33から0.55へと引き上げることで、より微細な回路パターンの解像を可能にする。この技術は、2nmプロセス以降の最先端ロジック半導体やAIプロセッサ、高密度メモリの製造に不可欠とされており、オランダのASMLが中心となって開発を進めている。量子デバイスの製造に適用することで、ナノメートル単位の極めて精密な電極配置が可能となり、量子ビットの集積密度を飛躍的に向上させることが期待されている。