
テクノロジー
SamsungのHigh-NA EUV、1nm級A10世代から量産投入と報道:2nm・1.4nmは0.33NA中心
Samsungは2nm・1.4nmで0.33 NA EUVのマルチパターニングを軸にし、High-NA EUVは1nm級A10世代からの量産投入を目指すと報じられた。装置性能と工程認定の時期を分けて読む必要がある。
Samsungが2027年の量産開始を予定している1.4nm世代のプロセスノード。同社のロードマップにおいてSF2Zの次のステップに位置づけられているが、現時点ではBSPDNの搭載は見送られる計画となっている。

Samsungは2nm・1.4nmで0.33 NA EUVのマルチパターニングを軸にし、High-NA EUVは1nm級A10世代からの量産投入を目指すと報じられた。装置性能と工程認定の時期を分けて読む必要がある。
2nmプロセスで70%歩留まりを達成し、Teslaとの165億ドル契約を獲得したSamsung Foundryが、凍結していた1.4nm(SF1.4)開発を再始動。2029年量産を目指すが、TSMCに1年・Intelに最大2年遅れる競合環境の中で、その実現可能性をどう見るか。

Samsungの半導体部門Samsung Semiconductorは、「Samsung Foundry Forum」において、今後数年間の製造計画に関する詳細や、2nmおよび3nmチップのプロセスロードマップ、そしてA […]