
Tesla AI5のSamsung版が2nmでテープアウト、2027年量産へ試作準備
TeslaのAI5でSamsung向け2nm設計がテープアウトした。2027年の生産計画に向け、試作、認定、歩留まりとTSMC版との同等性が次の検証点となる。
別名: SF2
Samsungが開発する2nm世代の最初の製造プロセス。以前はSF3Pと呼ばれていた。GAA(Gate-All-Around)トランジスタ構造を継続して採用し、従来の3nmプロセスと比較して電力効率、性能、面積の向上を図る。2025年にモバイル向けチップの量産を開始する計画であり、同社の次世代ファウンドリ戦略の中核をなす。

TeslaのAI5でSamsung向け2nm設計がテープアウトした。2027年の生産計画に向け、試作、認定、歩留まりとTSMC版との同等性が次の検証点となる。

Appleは、TSMCのA16(1.6nm)プロセスをスキップし、より高性能なA14(1.4nm)に直行することで、半導体ロードマップの最前線を確保する戦略だ。この選択は、開発サイクルと製造コストを最適化し、競合他社に先行して製品差別化を図ることを目的としている。TSMCは2028年後半にA14の本格量産、2029年にはサブ1nm世代のA10の試験生産を目指しており、Appleとの関係が今後の半導体覇権を決定づける見込みだ。
Samsung Electronicsと半導体製造装置の世界最大手ASMLは、韓国・華城(ファソン)に建設予定だった共同研究開発(R&D)センター計画を修正し、代替案を模索していることが明らかになった。ASMLが […]

Samsungの半導体部門Samsung Semiconductorは、「Samsung Foundry Forum」において、今後数年間の製造計画に関する詳細や、2nmおよび3nmチップのプロセスロードマップ、そしてA […]

Samsung Foundryは、現在世界で唯一Gate All Around(GAA)FETによるチップ製造を行っているが、同社がこれを達成したのは2022年の事であり、2024年の現在、次世代のGAAに取り組んでいる […]