HBFはメモリ規格から装置商戦へ、韓国勢がTCボンダーで先行争い
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
別名: TSV, Through-Silicon Via
シリコンウェハを垂直に貫通する電極を形成し、積層された複数のチップ間を最短距離で電気的に接続する技術。HBMなどの3次元積層半導体において、高速なデータ転送と低消費電力化を実現するための基幹技術となっている。
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
AI半導体の性能向上を阻む「メモリウォール」打破のため、各社は広帯域メモリ(HBM)の開発に注力している。ASMLの2026年第1四半期決算では、メモリ向け装置の売上がロジック向けを上回り、半導体産業の主役がロジックからメモリへ交代する転換点を示した。 韓国メーカーがEUV装置の大量購入によりHBM生産能力を急拡大しており、AIインフラ投資の加速が最先端半導体製造装置の供給不足を深刻化させている。
Samsungの未来技術育成事業に採択された垂直ダイ集積パッケージング研究が、既存HBMの構造制約を崩す候補として浮上している。Samsung Science & Technology Foundationの研究 […]
2026年、生成AI市場の爆発的な拡大に伴い、半導体業界はかつてない「メモリ危機」に直面している。NVIDIAのGPUが市場を席巻する一方で、その演算能力を支えるデータ供給路、すなわちメモリ帯域と容量が、物理的な限界を迎 […]
世界の半導体産業における最大のボトルネックは、今や最先端の微細化プロセスではなく、チップ同士を繋ぎ合わせる「パッケージング」にある。 2026年1月13日、AIメモリ市場の覇権を握るSK hynixは、その強固な地盤を更 […]
AIコンピューティングの巨人、NVIDIAが半導体業界の根幹を揺るがす一手に出た。市場関係者の間で急速に広まっている情報によれば、NVIDIAはAIアクセラレータの性能を左右する重要部品、HBM(高帯域幅メモリ)の「ベー […]
Intelは、電子部品技術会議(ECTC)において、その先進的なチップパッケージング技術であるEMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)の重要なアップグレード版「EMIB-T […]
中国の半導体メーカーCXMTが、予定を2年前倒しして高性能メモリHBM2の量産を開始したようだ。これは、中国の半導体産業にとって大きな飛躍であり、技術的自立への道のりを加速させる可能性のある出来事だが、グローバル競争の中 […]
JEDECが第4世代高帯域幅メモリ(HBM4)の暫定仕様を発表し、次世代のAIと高性能コンピューティング向けメモリ技術の方向性が明確になった。HBM4は前世代のHBM3から大幅な性能向上を実現し、データ集約型アプリケーシ […]
SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー(HBM)の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより […]