1nm

シリコン限界の救世主か。東大チームが開発した「1nm極細チューブ」が次世代半導体の常識を覆す

東京大学の中西准教授らは、窒化ホウ素ナノチューブを鋳型に用いることで、直径1ナノメートルの極細な二硫化モリブデンナノチューブの合成に成功した。この手法は、原子配列が均一で安定した半導体特性を持つため、次世代の極小トランジスタ実現への道を切り拓く。