Company

Inversion Semiconductor

別名: Inversion Semiconductor

Overview

最終更新: 2026年7月9日

2024年に設立されたサンフランシスコを拠点とする半導体技術スタートアップ。極端紫外線(EUV)リソグラフィの分野で、従来のレーザー生成プラズマ(LPP)方式に代わる、小型粒子加速器を活用した革新的な光源技術の開発を目指している。同社の技術は「レーザー航跡場加速(LWFA)」を基盤としており、従来の巨大な加速器施設をテーブルトップサイズにまで小型化し、半導体製造装置への組み込みを可能にすると主張している。これにより、光源出力を大幅に向上させ、半導体製造プロセスを最大15倍高速化すること、さらには次世代の波長である6.7nmへの対応を視野に入れている。Y Combinatorの支援を受け、ローレンス・バークレー国立研究所とも提携している。