テクノロジー
1日7500万個へ：インド半導体は「組み立て」から脱却できるか
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Term
EUVリソグラフィ
別名: 極端紫外線リソグラフィ, EUV露光
Overview
波長13.5nmの極端紫外線（Extreme Ultraviolet）を光源として使用する、最先端の半導体露光技術。従来の深紫外線（DUV）よりも波長が短いため、5nmや3nmといった極微細な回路パターンの形成が可能となる。この技術の実現には、高出力なプラズマ光源、反射型の超精密ミラー、特殊なレジスト、真空環境の維持など、極めて高度な技術要素が必要とされる。現在はASML社が装置供給を独占しており、現代の高性能プロセッサやメモリの製造に不可欠な工程となっている。
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