テクノロジー
HBFはメモリ規格から装置商戦へ、韓国勢がTCボンダーで先行争い
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
Tech Product
TCボンダー
別名: 熱圧着ボンダー, Thermal Compression Bonder, TCボンダー
Overview
最終更新: 2026年7月9日半導体チップを基板や他のチップに接合する際、熱と圧力を加えて「バンプ」と呼ばれる微細なはんだの突起を溶かして接続する装置。HBM製造の主流技術として長年使用されてきたが、積層数が増えるにつれてバンプによる厚みの増加や発熱、ピッチの限界といった課題が顕在化しており、ハイブリッドボンディングへの移行が進んでいる。
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