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TWINSCAN EXE:5200B

Overview

TWINSCAN EXE:5200Bは、ASMLが開発した第2世代のHigh-NA(高開口数)EUV(極端紫外線)露光装置です。この装置は、従来のHigh-NA EUV装置が研究開発向けだったのに対し、商業的な大量生産(HVM)を明確に意識して設計されています。1時間あたり175枚という高いウェハー処理能力と0.7nmという極限の重ね合わせ精度を実現し、次世代の1.4nm相当の半導体プロセスでの量産を可能にする重要な技術です。

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