テクノロジー
IntelとASML、第2世代High-NA EUV「EXE:5200B」検証完了:時速175枚が告げる2027年「量産」の幕開け
Intelのファウンドリ部門であるIntel Foundryは、ASML製の第2世代High-NA(高開口数)EUV露光装置「TWINSCAN EXE:5200B」の受け入れテストが完了したと発表した。これは研究開発(R […]
TWINSCAN EXE:5200Bは、ASMLが開発した第2世代のHigh-NA(高開口数)EUV(極端紫外線)露光装置です。この装置は、従来のHigh-NA EUV装置が研究開発向けだったのに対し、商業的な大量生産(HVM)を明確に意識して設計されています。1時間あたり175枚という高いウェハー処理能力と0.7nmという極限の重ね合わせ精度を実現し、次世代の1.4nm相当の半導体プロセスでの量産を可能にする重要な技術です。