
光インターコネクトの帯域を2〜3倍に引き上げた変調器、その製造が現実路線に乗り始めた
シリコンと相性の悪い発光・変調材料を、個別に製造してから転写するマイクロ転写プリンティング技術が注目されている。CMOS工程の利点を活かしつつ、高性能なレーザーや変調器を同一チップ上に高精度で統合でき、次世代の高速通信基盤として期待される。
別名: アイメック, imec, IMEC
ベルギーのルーヴェンに本部を置く、世界最高峰の半導体研究開発機関。産学連携のハブとして機能し、ASMLやTSMC、Intelといった主要な半導体企業と提携して次世代の微細加工技術を開発している。特にリソグラフィ技術や新材料、ナノテクノロジーを用いたデバイス構造の研究で世界をリードしており、今回のHigh-NA EUVを用いた量子デバイス製造のように、既存の半導体製造プロセスを量子コンピュータに応用する研究でも重要な役割を果たしている。

シリコンと相性の悪い発光・変調材料を、個別に製造してから転写するマイクロ転写プリンティング技術が注目されている。CMOS工程の利点を活かしつつ、高性能なレーザーや変調器を同一チップ上に高精度で統合でき、次世代の高速通信基盤として期待される。

東証グロースに上場したティアフォーは、Autowareを軸に実証・受託開発から量産車ライセンスへ収益源を移し、車載半導体と数万台規模の供給基盤に投資する構想を進める。

IntelはHigh-NA EUVを使ったPanther Lakeの一部を初めて顧客出荷した。18A全体の切り替えではなく、特定レイヤーを従来型EUVと二重認定した量産実証である。

シリコンの限界を突破する次世代材料として、原子レベルで薄い2D材料を用いたトランジスタが注目されている。imecらの共同研究により、300mmウェハー上で業界標準の微細な統合プロセスが実証され、量産化に向けた大きな一歩を記した。

imecは、High-NA EUVリソグラフィを量子デバイス製造に適用し、ゲート間隔6ナノメートルの量子ドットデバイス作製に成功した。これにより、既存の半導体製造技術を量子コンピュータに活用し、実用化へのタイムラインを大幅に圧縮する歴史的な転換点となる。同技術は、シリコンスピン量子ビットの集積密度と電子制御精度を飛躍的に向上させ、エラー耐性を持つ量子コンピュータ実現への道を開く。

中国は、AIチップの消費電力増大に伴う熱問題解決のため、合成ダイヤモンド銅複合材料によるMW級液冷サーバーを2026年4月に実装した。これはNVIDIAの目標を2年以上先取りするもので、単一キャビネットで900kW超の電力処理と熱伝達能力80%向上を実現し、AIインフラの設計標準を塗り替える転換点となる。この先行実装は、世界シェア90%を占める合成ダイヤモンドの供給独占という戦略的優位に支えられている。

Appleは、TSMCのA16(1.6nm)プロセスをスキップし、より高性能なA14(1.4nm)に直行することで、半導体ロードマップの最前線を確保する戦略だ。この選択は、開発サイクルと製造コストを最適化し、競合他社に先行して製品差別化を図ることを目的としている。TSMCは2028年後半にA14の本格量産、2029年にはサブ1nm世代のA10の試験生産を目指しており、Appleとの関係が今後の半導体覇権を決定づける見込みだ。

2026年2月27日、最先端半導体の国内量産を目指すRapidus株式会社に対する巨大な資金注入が完了し、次世代テクノロジーの覇権を巡るゲームは新たなフェーズへと突入した。政府の独立行政法人情報処理推進機構(IPA)を通 […]

Intelのファウンドリ部門であるIntel Foundryは、ASML製の第2世代High-NA(高開口数)EUV露光装置「TWINSCAN EXE:5200B」の受け入れテストが完了したと発表した。これは研究開発(R […]

オランダのASMLとベルギーのImecは、次世代半導体の開発を加速させるため、ASMLのHigh NA EUVリソグラフィ装置(TWINSCAN EXE:5000)及び関連ツールへのアクセスを最先端のロジックおよびメモリ […]

Samsungの3nmプロセスが大型顧客を獲得するようだ。The Korea Economic Dailyは、AMDとSamsungがそのパートナーシップを最先端の3nmプロセスにまで拡大すると報じており、ベルギーのマイ […]

3nm以下の微細化を実現するためのキーテクノロジーのひとつに、チップ裏面での電力供給がある。この新しいアプローチは、シグナル・インテグリティ(SI)を向上させ、配線混雑を緩和するが、同時に、今日、簡単な解決策がない新たな […]