サイエンス
AIチップの熱問題を救う新構造。抵抗を50分の1にし次世代「テルル半導体」の実用化を加速させるブレイクスルー
韓国の研究チームは、次世代半導体素材テルルの実用化を阻んでいたリーク電流と接触抵抗のジレンマを、チャネルの厚みを局所的に変える幾何学的構造で解決した。この技術は低温製造が可能な3D集積回路の実現を後押しし、AI時代の演算能力向上に大きく寄与する。
Term
CFET
別名: Complementary FET, CFET
Overview
Complementary Field-Effect Transistorの略。n型とp型のトランジスタを上下に積み重ねることで、従来の水平配置に比べて回路面積を大幅に削減できる次世代の構造。2030年代初頭の実用化が期待されている。
Mentioned Articles
2 件
External Mentions
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