テクノロジー
AIと同じ工場で「量子」を量産へ。imecがHigh-NA EUVで刻んだ6ナノメートルの壁
imecは、High-NA EUVリソグラフィを量子デバイス製造に適用し、ゲート間隔6ナノメートルの量子ドットデバイス作製に成功した。これにより、既存の半導体製造技術を量子コンピュータに活用し、実用化へのタイムラインを大幅に圧縮する歴史的な転換点となる。同技術は、シリコンスピン量子ビットの集積密度と電子制御精度を飛躍的に向上させ、エラー耐性を持つ量子コンピュータ実現への道を開く。
Term
シリコンスピン量子ビット
別名: Silicon Spin Qubits, シリコンスピン量子ビット
Overview
最終更新: 2026年6月11日既存の半導体製造技術と親和性が高い量子ビットの実現方式。シリコン結晶の中に閉じ込めた単一電子の「スピン」の向きを量子情報（0と1）として利用する。超伝導方式などに比べて素子サイズが圧倒的に小さく、既存のCMOS製造プロセスを流用できるため、将来的に数百万個の量子ビットを単一チップ上に高密度に集積できる可能性を秘めている。環境ノイズに敏感であるため、極微細なゲート構造による精密な制御が必要とされる。