テクノロジー
AIと同じ工場で「量子」を量産へ。imecがHigh-NA EUVで刻んだ6ナノメートルの壁
imecは、High-NA EUVリソグラフィを量子デバイス製造に適用し、ゲート間隔6ナノメートルの量子ドットデバイス作製に成功した。これにより、既存の半導体製造技術を量子コンピュータに活用し、実用化へのタイムラインを大幅に圧縮する歴史的な転換点となる。同技術は、シリコンスピン量子ビットの集積密度と電子制御精度を飛躍的に向上させ、エラー耐性を持つ量子コンピュータ実現への道を開く。
Term
Sofie Beyne
Overview
最終更新: 2026年7月9日ベルギーの半導体研究機関imecに所属する研究者であり、量子コンピューティング分野のプロジェクトリーダーを務める。High-NA EUVリソグラフィを用いた量子ドットデバイスの製造技術開発など、既存の半導体製造プロセスを量子デバイスに応用する研究を主導している。シリコンスケーリングのエコシステムを活用した量子コンピュータの実用化を提唱している。