テクノロジー
AIと同じ工場で「量子」を量産へ。imecがHigh-NA EUVで刻んだ6ナノメートルの壁
imecは、High-NA EUVリソグラフィを量子デバイス製造に適用し、ゲート間隔6ナノメートルの量子ドットデバイス作製に成功した。これにより、既存の半導体製造技術を量子コンピュータに活用し、実用化へのタイムラインを大幅に圧縮する歴史的な転換点となる。同技術は、シリコンスピン量子ビットの集積密度と電子制御精度を飛躍的に向上させ、エラー耐性を持つ量子コンピュータ実現への道を開く。
Term
量子ドットデバイス
別名: 量子ドット
Overview
最終更新: 2026年6月8日量子ドットデバイスは、電子の動きを3次元すべての方向からナノメートルスケールの領域に閉じ込めることで、離散的なエネルギー準位を持たせた半導体素子である。この「人工原子」とも呼ばれる性質を利用し、単一電子のスピン状態を量子ビットとして制御することで、シリコンベースの量子コンピュータを実現するための基盤技術となる。微細なゲート電極によって電子の閉じ込めや隣接するドット間の相互作用を制御し、高い集積度と既存の半導体製造プロセスとの親和性を両立できる点が大きな特徴である。