テクノロジー
Samsung・ASMLの共同研究施設計画が変更：華城の土地売却も協力は継続
Samsung Electronicsと半導体製造装置の世界最大手ASMLは、韓国・華城（ファソン）に建設予定だった共同研究開発（R&D）センター計画を修正し、代替案を模索していることが明らかになった。ASMLが […]
Term
High-NAリソグラフィ
High-NAリソグラフィとは、従来のEUV露光装置よりも開口数を高め、より微細なパターンを一括露光できる次世代の半導体製造技術である。IntelやTSMCなどが1nm台の最先端ロジック半導体プロセス開発で導入を進めている。
全 22 件 / 2 ページ
テクノロジーHuaweiがLDP技術で独自EUVリソグラフィ装置を開発：2026年量産へ
中国Huaweiが米国制裁を迂回する新たな半導体技術として、独自のEUVリソグラフィ装置の開発を進めている。従来のASML製造装置とは異なるレーザー誘起放電プラズマ（LDP）技術を採用したこの装置は、現在東莞施設でテスト […]
テクノロジーIntel、CHIPS法で1兆2,000億円の助成金獲得が確定 – 半導体製造の国内回帰へ大きな一歩
Biden-Harris政権は26日、Intel社への最大78.6億ドル（1兆2,000億円）のCHIPS法助成金支給を正式に決定した。この資金は同社の米国内商用半導体製造施設の拡大を支援するもので、国内の半導体サプライ […]
テクノロジーASMLとImecが共同で「High NA EUV Lithography Lab」を開設、顧客の装置導入を支援
オランダのASMLとベルギーのImecは、次世代半導体の開発を加速させるため、ASMLのHigh NA EUVリソグラフィ装置（TWINSCAN EXE:5000）及び関連ツールへのアクセスを最先端のロジックおよびメモリ […]
テクノロジーMicron、次世代グラフィックボード向け「GDDR7」メモリのサンプル出荷を開始、搭載製品は2024年後半登場
Micronは、次世代GDDR7メモリのサンプル出荷を開始した事を発表した。メモリ転送速度は実に32Gb/sとなり、帯域幅は1.5TB/sを実現するこのGDDR7は、GDDR6から最大60％の帯域幅向上を実現しており、N […]
テクノロジーIntel、ASMLが製造する2024年分のHigh-NA EUV装置を全て確保と報じられる
IntelはASMLが製造したHigh-NA EUVリソグラフィ装置を世界で初めて購入し、自社工場に導入した企業となったが、どうやらそれのみならず、ASMLが今年製造する全てのHigh-NA EUVリソグラフィ装置を確保 […]
テクノロジーIntelと国防総省、最先端チップ開発での協力をさらに進める
Intelは2021年に米国防総省と、重要システム分野で用いられるコンピュータチップを米国内で設計、製造する事を支援するためのRAMP-Cプログラム（Rapid Assured Microelectronics Prot […]
テクノロジーIntel、初の商用High-NA EUVリソグラフィ装置の組み立てを完了
Intelは、世界で初めてASMLのHigh-NA EUVリソグラフィ装置を納入された企業となったが、同社はこの世界で最も複雑な工業機械の1つ「TWINSCAN EXE:5000」が、本日無事にオレゴン州ヒルズボロのDX […]
- テクノロジー
ASML、2台目のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を出荷、顧客名は明かさず
オランダの半導体製造装置メーカーASMLは、米・大手チップメーカーIntelに続き、2台目のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を別の顧客に出荷開始したと発表した。なお、顧客の名前は明らかにされていない。 ASMLのH […]
テクノロジーTSMC、次世代2nmプロセスを2025年に、1.4nmプロセスを2027年に生産開始との報道
TSMCは昨年AppleのiPhone向けA17 Proチップや、Mac向けのM3チップで本格的に3nmプロセスの生産に乗り出したが、既にその先の2nmや1.4nmと言った次世代プロセスの開発を進めていることを明らかにし […]