
テクノロジー
キオクシアとSandiskが世界最高密度の3D NANDフラッシュを発表:332層QLCで37 Gb/mm²を達成
キオクシアとSandiskは332層のQLC 3D NANDフラッシュで面積密度37 Gb/mm²を達成し、層数で先行するSamsung V10(28 Gb/mm²)を密度で逆転した。CBAアーキテクチャとToggle DDR6.0、PI-LTT技術により密度、速度、省電力を同時に向上させ、AIデータセンターの大容量ストレージ需要に応える設計となっている。
別名: Power Isolated Low-Tapped Termination
PI-LTT(Power Isolated Low-Tapped Termination)は、NANDインターフェースの消費電力を削減するための技術です。従来の1.2V電源に加えて、より低い電圧の電源をデータ入出力の終端回路に活用することで、高速転送を維持しながら電力効率を改善します。データセンターなどの大規模ストレージ環境において、電力消費の抑制と熱設計の簡素化に寄与する重要な技術です。

キオクシアとSandiskは332層のQLC 3D NANDフラッシュで面積密度37 Gb/mm²を達成し、層数で先行するSamsung V10(28 Gb/mm²)を密度で逆転した。CBAアーキテクチャとToggle DDR6.0、PI-LTT技術により密度、速度、省電力を同時に向上させ、AIデータセンターの大容量ストレージ需要に応える設計となっている。
KIOXIAとSanDiskは、共同開発した第10世代3D NANDフラッシュメモリ技術を発表した。この新技術は、インターフェース速度、ビット密度、電力効率を大幅に向上させ、AI時代におけるデータストレージの進化を牽引す […]