テクノロジー
キオクシアとSandiskが世界最高密度の3D NANDフラッシュを発表：332層QLCで37 Gb/mm²を達成
キオクシアとSandiskは332層のQLC 3D NANDフラッシュで面積密度37 Gb/mm²を達成し、層数で先行するSamsung V10(28 Gb/mm²)を密度で逆転した。CBAアーキテクチャとToggle DDR6.0、PI-LTT技術により密度、速度、省電力を同時に向上させ、AIデータセンターの大容量ストレージ需要に応える設計となっている。
Term
Toggle DDR6.0
Overview
最終更新: 2026年7月9日Toggle DDR6.0は、NANDフラッシュメモリとコントローラー間のデータ転送を行うための最新インターフェース規格です。従来のToggle DDR規格をさらに進化させ、データ転送レートを大幅に引き上げることで、AI処理やビッグデータ解析で求められる高速なデータアクセスを実現します。本記事で発表された第10世代3D NANDでは、この規格の採用により4.8Gbpsという極めて高いインターフェース速度を達成しています。
