
シリコンの限界を超える究極の半導体:インジウムセレン化物(InSe)が拓く超低消費電力AIと量子コンピューティングの未来
シリコンの限界を超える究極の半導体:インジウムセレン化物(InSe)が拓く超低消費電力AIと量子コンピューティングの未来 現代のデジタル社会を根底から支えてきたシリコン半導体技術が、物理的な限界点に到達しつつある。素子の […]
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シリコンの限界を超える究極の半導体:インジウムセレン化物(InSe)が拓く超低消費電力AIと量子コンピューティングの未来 現代のデジタル社会を根底から支えてきたシリコン半導体技術が、物理的な限界点に到達しつつある。素子の […]
米Binden政権が半導体技術開発の新たな一手を打ち出した。ニューヨーク州オルバニーに8.25億ドル規模の次世代半導体研究施設を設立…

現代社会のインフラを根底から支える半導体産業は、今まさに歴史的な転換点を迎えている。AI処理を担う巨大なデータセンターや日常的に持ち歩くモバイル機器の性能向上は、トランジスタのサイズを極小化し、限られたシリコンチップの上 […]

韓国政府は12月26日、用地面積728ヘクタールに及ぶ世界最大規模の半導体産業拠点となる「龍仁半導体国家産業団地」の造成計画を、当初…

TSMCは「N3E」や「N2」、その先の開発中である最先端ノードが大きく注目されるが、パワー半導体、ミックスド・アナログI/O、超低消費電力アプリケーション(IoTなど)といったアプリケーション向けの一連の特殊ノードも提 […]

Intel社の次世代半導体製造プロセス「18A」ウェハーの生産がアリゾナの新工場で予定より早く開始された。当初2025年半ばに設定さ…

半導体産業団体 SEMI の最新の四半期レポート「 World Fab Forecast 」によると、2025年に世界で18の新規半…

韓国の研究チームは、単一の二セレン化白金薄膜内に半金属と半導体の領域を連続して形成し、金属電極との接合部で生じる接触抵抗を解消する技術を開発した。原子レベルの観察で電子の渋滞がないことを証明しており、次世代チップの低消費電力化に貢献する。
米中貿易摩擦を背景に、半導体後工程メーカーの生産拠点が中国から東南アジアへとシフトする動きが加速している。Reutersの報道による…
中国の半導体技術が欧米に大きく後れを取っていることが明らかになった一方で、急速な進歩を遂げつつある実態が浮き彫りとなった。米シンクタ…

オランダ政府が半導体製造装置大手ASMLの輸出規制を強化し、一部の最新機器の輸出ライセンス管理を米国から引き継ぐことを発表した。この…

AIがチップを設計する時代が到来した。Google DeepMindが開発したAIシステム「AlphaChip」が、半導体設計の常識を覆す成果を上げている。このブレイクスルーは、チップ設計の効率化だけでなく、AIと半導体 […]