韓国のメモリ大手SK hynixは2025年9月3日、業界で初めて次世代リソグラフィ技術「High-NA EUV」の商用システムを量産ラインに導入したと発表した。これは、次世代DRAM開発における技術的優位性を確立するだけでなく、長年続いた半導体業界の勢力図を大きく変える戦略的な一手となるかもしれない。
歴史的瞬間、利川M16ファブに灯った次世代の光
その歴史的な装置、ASML社製「TWINSCAN EXE:5200B」が設置されたのは、ソウル近郊に位置するSK hynixの主力拠点、利川（イチョ）のM16ファブだ。同社はこの日、R&D責任者のチャ・ソンヨン氏、製造技術責任者のイ・ビョンギ氏、そして装置を供給したASML社のキム・ビョンチャン氏らが列席し、記念式典を開催した。この一台の装置が、これからの半導体製造の風景を一変させることになる。
注目すべきは、SK hynixがIntel、TSMC、Samsungといった業界の巨人たちを抑え、この次世代技術の「商用導入」で先陣を切ったという事実だ。Intelも同システムの導入を進めているが、量産適用はSK hynixが先行する形となった。世界で最先端のEUVリソグラフィによる量産が可能な企業がごく一握り（TSMC, Samsung, Intel, SK hynix, Micron）に限られる中、この「一番乗り」が持つ戦略的意味は計り知れない。
SK hynixのチャ氏は「我々が追求してきた技術的ビジョンを現実のものにする重要なインフラが整った」と述べ、ASMLのキム氏も「High-NA EUVは半導体産業の次章を開く重要な技術だ」と応じた。両社のコメントからは、この技術革新に対する並々ならぬ期待と自信がうかがえる。彼らが見据えるのは、急成長するAIおよび次世代コンピューティング市場の厳しい要求に応え、AIメモリ分野でのリーダーシップを確固たるものにすることだ。
「High-NA EUV」とは何か？ 既存技術との決定的違い
このニュースの核心を理解するためには、まず「High-NA EUV」という技術の本質に迫る必要がある。
半導体製造は、シリコンウェハーと呼ばれる円盤上に、写真のネガフィルムのようにして微細な電子回路を焼き付ける工程（リソグラフィ）の繰り返しだ。この「焼き付け」に使う光の波長が短ければ短いほど、より細い線を引くことができる。長年、産業界はArF（フッ化アルゴン）と呼ばれる波長の光を使ってきたが、微細化の限界に直面。そこで登場したのが、波長が1/14以下と極端に短い「EUV（極端紫外線）」である。SK hynixも2021年から1anm世代（10nm級の第4世代）DRAMの生産にEUVを導入してきた。
今回の「High-NA EUV」は、そのEUV技術をさらに進化させたものだ。最大の鍵は、その名が示す通り「NA（開口数）」にある。
NA値0.55が拓く、微細化のフロンティア
NAを理解するには、カメラのレンズを想像すると分かりやすい。レンズの口径が大きく、光をたくさん集められる（F値が小さい）レンズほど、より高解像度でシャープな写真を撮ることができる。リソグラフィにおけるNAもこれと似た概念で、光を集めてウェハー上に回路パターンを投影するレンズシステムの性能を示す。NAの値が大きいほど、より微細なパターンを正確に転写できる。
従来のEUVシステム（Low-NA EUV）のNA値が0.33だったのに対し、今回SK hynixが導入したASML TWINSCAN EXE:5200BのNA値は0.55。実に40%もの向上を果たしている。この数字の飛躍が、驚異的な性能向上をもたらす。
SK hynixの発表によれば、その性能は驚異的だ。
- トランジスタサイズの縮小: 1.7倍小さくできる
- トランジスタ密度の向上: 2.9倍高くできる
これは、同じ面積のチップにより多くのトランジスタを詰め込めることを意味する。トランジスタは計算の基本単位であり、その数と密度がチップの性能と電力効率を直接左右する。つまり、より高性能で、より省電力な次世代DRAMの開発が可能になるのだ。
さらに、これまで複雑な回路を描くために、同じ場所へ複数回露光を繰り返す「マルチパターニング」という手法が用いられてきたが、High-NA EUVの高い解像度によって、このプロセスを簡素化できる可能性がある。プロセスの簡素化は、製造時間の短縮と歩留まり（良品率）の向上に直結し、最終的にはコスト競争力にも繋がる。SK hynixの狙いは、まさにこの性能向上とコスト競争力の両立にある。
SK hynixはなぜ勝てたのか？AI時代の覇権を巡る深謀遠慮
注目すべきは、なぜSK hynixが競合他社に先駆けてこの技術を商用化できたのか、という点だ。その背景には、AIという巨大な潮流を的確に読み解き、大胆な先行投資を行うという同社の明確な戦略が見て取れる。
AIブームがもたらした必然
近年の生成AIブームは、コンピューティングの世界にパラダイムシフトをもたらした。NVIDIAのGPUに代表されるAIアクセラレータは、その性能を最大限に発揮するために、膨大な量のデータを瞬時にやり取りできる超広帯域なメモリを必要とする。これがHBMの需要を爆発させた。巨大なデータセットを扱う機械学習モデルのトレーニングでは、計算ユニットへのデータ供給がボトルネックになることが少なくない。HBMはこのボトルネックを解消するために生まれた技術であり、AIの進化とHBMの進化は表裏一体の関係にある。
HBMは、複数のDRAMダイ（チップ）を垂直に積み重ねることで帯域幅を稼ぐ。この積層技術と、個々のDRAMダイの性能向上の両輪が重要であり、後者において微細化は欠かせない。High-NA EUVは、このDRAMダイ自体の性能と集積度を次のレベルに引き上げるための切り札なのだ。
NVIDIAとの蜜月関係が生んだ勝利
SK hynixは、このHBM市場においてNVIDIAの主要サプライヤーとして確固たる地位を築いている。Samsungを抑え、市場をリードする存在となった背景には、NVIDIAとの緊密な連携がある。
今回のHigh-NA EUVの先行導入は、NVIDIAの次世代、あるいは次々世代のAIアクセラレータを見据えた戦略的な布石と考えるのが自然だろう。競合他社がまだ従来のEUVでHBMを製造している間に、SK hynixはHigh-NA EUVを用いてより高性能・高密度な次世代HBMを開発し、NVIDIAへの供給における優位性を不動のものにしようとしている。これは、単に顧客の要求に応えるだけでなく、未来の製品仕様をパートナーと共に作り上げていくという、より深いレベルでの協業関係を象徴している。
Samsung、TSMCを横目に見た計算
SK hynixの動きは、長年の王者Samsungに対する明確な挑戦状でもある。DRAM市場で約30年間トップに君臨してきたSamsungの牙城を崩し、業界のリーダーシップを奪取するという強い意志の表れだ。
また、TSMCのようなロジック半導体の雄とは事業領域が異なるものの、最先端製造技術の導入競争という観点では無関係ではない。High-NA EUVのような巨大な投資を必要とする技術をいち早く実用化し、量産体制を確立することは、サプライチェーン全体における影響力を高めることに繋がる。世界で最先端のEUVによる量産が可能な企業がごく少数に限られる中、SK hynixはその中でも一歩抜きん出た存在になったと言えるだろう。
業界へのインパクト
SK hynixによるHigh-NA EUVの商用導入は、半導体業界全体に広範囲な影響を及ぼすだろう。
DRAM製造プロセスの革新
High-NA EUVの最大の利点の一つは、製造プロセスの簡素化だ。 これまでの微細化では、解像度の限界から、同じ回路パターンを2回（あるいはそれ以上）重ねて露光する「ダブルパターニング」といった複雑な手法が用いられてきた。これは製造工程を増やし、コストを押し上げ、歩留まり（良品率）を悪化させる要因だった。
High-NA EUVの高い解像度があれば、こうした複雑な工程を削減し、よりシンプルなプロセスで微細な回路を形成できる可能性がある。これは、コスト競争力の向上と、新製品開発のスピードアップに直結する。SK hynixはこの利点を活かし、次世代メモリの開発を加速させる計画だ。
塗り替えられる半導体勢力図
この一手が、メモリ市場におけるSK hynixのリーダーシップを決定的なものにする可能性がある。特にAI向けメモリという、今後最も成長が見込まれる高付加価値市場において、他社に対する技術的アドバンテージは絶大な効果を発揮するだろう。Samsungも当然ながらHigh-NA EUVの導入を計画しているが、この「時間差」が数年間の市場シェアに大きな影響を与えることは想像に難くない。
長期的には、メモリで培われたHigh-NA EUVのノウハウが、将来的にSK hynixが他の半導体分野へ進出する際の礎となる可能性も否定できない。
消費者が享受する恩恵とは？
最先端技術の競争は、最終的に我々消費者の生活を豊かにする。High-NA EUVによって製造された次世代メモリは、我々が日常的に使うデバイスやサービスを根底から変えるポテンシャルを秘めている。
- AIの進化: より大規模で高性能なAIモデルが開発され、AIアシスタントや自動翻訳、医療診断などの精度が飛躍的に向上する。
- スマートフォンの高性能化: 限られたバッテリー容量の中で、より高度なAI処理や高解像度ゲームが長時間楽しめるようになる。
- PCとデータセンター: データ処理能力が向上し、より快適なコンピューティング環境が実現する。データセンターの電力効率が改善され、環境負荷の低減にも貢献するだろう。
SK hynixの挑戦は、遠い工場の話ではなく、数年後の我々のデジタルライフを直接的に向上させるための、重要な一歩なのである。
もちろん、その道のりは平坦ではない。High-NA EUVは、その驚異的な性能と引き換えに、莫大な課題も抱えている。
第一に、天文学的なコストだ。TWINSCAN EXE:5200Bは1台あたり4億ドル（約600億円）以上とも言われる。この巨額な投資を回収するには、高付加価値製品を高い歩留まりで安定的に生産し続ける必要がある。
第二に、技術的なハードルだ。全く新しい装置を量産ラインで安定稼働させることは、極めて難易度の高い挑戦だ。ASMLとの緊密な連携が不可欠であり、SK hynixの技術力が真に問われることになる。
これらの課題に対し、SK hynixは明確な「解決策」を提示している。それは、AIメモリという高成長・高付加価値市場への集中だ。汎用的なメモリではなく、最も高い性能が求められる最先端市場にリソースを集中投下することで、巨額の投資を回収し、さらなる技術開発へと繋げる好循環を生み出そうとしている。
今回の発表は、SK hynixが単なるメモリメーカーから、AI時代を定義するキープレイヤーへと脱皮しようとする強い意志の表れだ。これは、未来の市場がどうなるかを予測して追随するのではなく、自ら技術革新の先頭に立つことで市場そのものを創造するという、極めて野心的な賭けではないだろうか。
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