メモリ・ストレージ

次世代メモリの「熱の壁」を突破。反強磁性体がピコ秒動作へ向かう新設計を東大らが実証

次世代メモリ材料として期待されるカイラル反強磁性体において、膜厚を30ナノメートル以下に薄膜化し放熱を最適化することで、熱に頼らない超高速なスピン反転制御が可能となった。これにより、従来の熱緩和による速度制限を打破する道が開かれた。