1c DRAM

DRAMの微細化プロセスにおける第6世代の10nm級（1c）テクノロジー。極端紫外線（EUV）露光技術を高度に活用することで、従来の1bプロセスよりも高いセル密度と優れた電力効率を実現する。メモリのさらなる大容量化と高速化を可能にする最先端技術であり、HBM4などの次世代高性能メモリ製品のコアダイとして採用が進んでいる。