
厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
JEDEC(Solid State Technology Association、旧称半導体技術協会)は、半導体分野の標準化を担う国際的な業界団体である。1958年に設立され、米国バージニア州アーリントン郡に本部を置く。DDR、LPDDR、UFSといったメモリ規格をはじめ、半導体デバイス全般の技術仕様を策定している。
JEDECは公式サイトjedec.orgを通じて活動情報を公開しており、メモリメーカーや半導体設計企業など業界各社が参加する標準化団体として機能している。策定する規格はDRAMやNANDフラッシュ、モバイル向けストレージなど幅広い分野に及び、業界標準として広く採用されている点が特徴だ。
1958年の設立以来、半導体技術の進化に合わせて規格の更新を続けてきた。設立当初は半導体デバイス全般の標準化を目的としていたが、現在ではDDRやLPDDRなどのメモリ規格策定が主要な活動領域となっている。
JEDECが策定する規格は、メモリメーカー各社が製品を設計する際の共通基盤となる。データ転送速度や電力効率、信号整合性などの技術要件を定めることで、異なるメーカー間の互換性を確保し、業界全体の技術発展を支えている。近年はAIデータセンター向けの高帯域メモリ需要の高まりを受け、次世代規格の策定が加速している。
2026年5月には、JEDECが次世代規格LPDDR6のロードマップを公開した。x6サブチャネル構成による最大512GBの高密度実装、着脱可能なSOCAMM2モジュールの標準化、メモリ内演算処理(PIM)の導入を特徴とし、従来モバイル向けだったLPDDRをAIデータセンターやハイパフォーマンス・コンピューティング領域へ拡張する狙いを持つ。同月には、NEO SemiconductorがAI向け3D X-DRAMの概念実証に成功したと発表し、この技術がJEDEC規格を大きく上回るデータ保持能力を持つと報告された。
2026年6月には、Samsung、SK hynix、Micronの主要メモリメーカー3社が次世代規格DDR6の開発を本格化させた。DDR6は最大17.6Gbpsのデータ転送速度を目指し、2028年から2029年の商用化を想定しているが、信号整合性や電力効率の課題解決に加え、CAMM2やSOCAMM2といった新規格の導入も鍵となる見通しだ。
さらに同月、SamsungのUFS 5.0が2026年第4四半期に量産開始予定であることも報じられ、モバイル向けストレージ規格の進化がオンデバイスAI処理の高速化を後押しする動きも確認されている。加えてSamsungとSK hynixによる次世代HBM4開発競争や、Intel環境でのDDR5 CUDIMM低コスト化の進展など、JEDECが定める規格を基盤とした技術開発が業界各社で並行して進んでいる。こうした一連の動向は、JEDECの策定する規格が、モバイルからAIデータセンターまで幅広い領域で技術基盤としての役割を強めていることを示している。

POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。

Intelが構想する新メモリXBMは、HBM4の代替というより、UCIeを用いたオンパッケージメモリの接続最適化を目指すものである。高速なシリアルリンクの活用や配線層へのDRAM配置により、実装面積の削減や帯域密度の向上を図る狙いがある。

SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。

AppleはiPhone 18 Pro向けのA20 Proチップで、メモリバス幅を従来の64ビットから96ビットへ拡張する可能性がある。この変更はApple Intelligenceの処理能力向上に寄与し、端末内AIや高度なメディア処理を支える基盤となる。
Samsungは、次世代モバイル向けストレージ規格UFS 5.0を2026年第4四半期に量産する。従来比2倍超の転送速度と40%以上の電力効率改善を実現しており、オンデバイスAIの処理加速や薄型端末の設計自由度向上に寄与する。

Samsung、SK hynix、Micronの主要メモリメーカー3社が、AIデータセンターの需要に応える次世代メモリ規格DDR6の開発を本格化させた。DDR6は最大17.6 Gbpsのデータ転送速度を実現し、2028年から2029年の商用化を目指すが、超高速化に伴う信号整合性や電力効率の課題解決、CAMM2/SOCAMM2などの新規格導入が鍵となる。
AIのメモリの壁を打破するため、NEO Semiconductorが「3D X-DRAM」の概念実証に成功した。これは3D NANDの製造技術を転用し、モノリシックな立体構造でDRAMを製造する技術であり、既存のHBMの課題を解決し、容量、コスト、エネルギー効率を大幅に改善する。また、10ナノ秒未満の高速性と、JEDEC規格を15倍以上凌駕するデータ保持能力を持つ。

JEDECが公開した次世代規格「LPDDR6」のロードマップは、モバイル向けだったLPDDRがAIデータセンターやハイパフォーマンス・コンピューティングへと主戦場を移すことを示している。この新規格は、x6サブチャネル構成による最大512GBの超高密度実装、着脱可能なSOCAMM2モジュールの標準化、そしてメモリ内部で演算処理を行うProcessing-in-Memory(PIM)の導入により、AI時代の「メモリの壁」を打破する。

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