テクノロジー
中国の半導体製造が大きく進展？Prinanoが国産NILシステムを初出荷、Canon超えの10nm未満を実現
米国の輸出規制という巨大な壁に直面する中国の半導体産業が、密かに極めて戦略的な一歩を踏み出した。中国の装置メーカーPrinano Technologyが、同国初となる国産のナノインプリントリソグラフィ（NIL）システム「 […]
Term
NANDフラッシュメモリ
NANDフラッシュメモリとは、電源を切ってもデータが保持される不揮発性半導体メモリの一種だ。SSD、USBメモリ、スマートフォンのストレージなど幅広いデバイスに採用されており、現代のコンピューティング基盤を支える主要なストレージ技術である。
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テクノロジーSamsung、AI需要に応えるため「Z-NAND」を7年ぶりに復活か？15倍の処理高速化を実現の可能性
AI時代のデータボトルネックを破壊すべく、Samsungが7年の沈黙を破った。かつてIntel Optaneの対抗馬と目されながら姿を消した「Z-NAND」が、最大15倍の性能と80%の省電力を謳い、AIデータセンター向 […]
テクノロジーMicron、世界初PCIe 6.0 SSDと245TBの超巨大SSDを発表
MicronがAI革命を駆動する、全く新しいデータセンター向けSSDポートフォリオを発表した。業界初のPCIe 6.0対応SSD、そして最大245TBという前代未聞の容量を誇るSSDを含む3つの新製品は、同社の最新「第9 […]
テクノロジーキオクシア、第9世代3D NAND「BiCS FLASH」のサンプル出荷を開始：積層数より効率。AI時代への巧みな一手
キオクシアとSanDiskが、第9世代3D NAND「BiCS FLASH」のサンプル出荷を開始した。この新メモリの投入は、積層数競争が激化する半導体業界の潮流に一石を投じる、極めて戦略的な一手だ。成熟したメモリ技術と最 […]
テクノロジー伝説のGPUエンジニアRaja Koduri氏、SanDiskへ。「HBF」技術によりAI向け4TB VRAM GPU実現に挑む
GPU業界の伝説的エンジニア、Raja Koduri氏が次なる舞台に選んだのは、ストレージ大手のSanDiskだった。彼が挑むのは、AIの性能を根底から覆す可能性を秘めた新メモリ技術「HBF（High-Bandwidth […]
サイエンス東大らの新技術が桁違いのSSDとRAMの開発を可能にするかもしれない
東京科学大学と東京大学の研究チームが、半導体技術の歴史に新たな一ページを刻んだ。室温（約300K）を遥かに超える530K（摂氏257度）という驚異的なキュリー温度を持つ強磁性半導体を開発。これは、長年「夢の技術」とされて […]
テクノロジーDDR5価格高騰にブレーキ？ 2025年Q3、DRAM市場安定化の兆しとAIの熱狂
長らく続いたDRAM（記憶保持動作が必要な半導体メモリ）価格の上昇トレンドに、ようやく変化の兆しが見え始めた。特に最新規格であるDDR5メモリの高騰が鈍化し、市場全体が2025年第3四半期に向けて安定化する可能性が、市場 […]
テクノロジーSK hynix、世界最高321層NAND搭載UFS 4.1ストレージ発表：薄型・高性能でオンデバイスAI時代を加速、PC SSDも視野に
韓国のメモリ大手SK hynixは、世界最高層となる321層1Tb TLC（Triple Level Cell）4D NANDフラッシュメモリを採用したUFS (Universal Flash Storage) 4.1ソ […]
テクノロジーSamsung、DRAM・NAND価格を最大5%値上げへ – AI需要増と関税懸念が背景
Samsung Electronicsが主要なメモリーチップであるDRAMとNANDフラッシュの価格を最大5%引き上げる方向で調整していることが明らかになった。背景には、AI（人工知能）分野での需要急増や、米国の追加関税 […]
テクノロジーMicron、AI需要急増でメモリ価格を2026年まで値上げへ DRAM・NAND供給難続く
半導体大手のMicronは、AIやデータセンターからの旺盛な需要と供給制約を背景に、DRAMおよびNANDフラッシュメモリの価格を2025年から2026年にかけて引き上げる計画を正式に発表した。この動きは、メモリ市場全体 […]
テクノロジーSK hynix、IntelのNAND事業買収を完了 — 最終支払い19億ドル
SK hynixはIntelのNANDフラッシュメモリ事業買収の最終段階を完了し、合計約88.5億ドルの取引が決着した。この戦略的買収により、SK hynixは半導体市場での競争力を強化する一方、Intelは成長分野への […]
テクノロジーSamsung、400層超のV10 NANDを発表：5.6 GT/sの高速転送と2025年量産へ
Samsungが国際ソリッドステート回路会議（ISSCC 2025）において、革新的なウェハーボンディング技術を搭載した第10世代V-NANDフラッシュメモリを発表した。400層以上の有効層と5.6 GT/s（ギガトラン […]
