
厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
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Semiconductor Manufacturing
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POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。

Rapidusは2027年度後半に量産予定の2nm半導体価格を、参考価格300万〜350万円としてTSMC以下の水準に設定する方針を示した。報じられた価格の主語や歩留まり、契約先の実名など実現の鍵を握る材料は依然公表されていない。

SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。

Micronは2035年までに米国内で2500億ドル超を投じる計画を発表し、ニューヨーク州の新工場で基礎工事を開始した。供給網確保のため材料調達も強化するが、新工場の稼働は2030年以降となる見通しで、巨額投資の成果が出るまでには長期を要する。

Omdiaは2026年7月7日公開のブログで、AI需要によるメモリ高騰を背景に400ドル以下スマホの出荷が2026年に前年比22%超減る一方、400ドル超は5.7%増えると予測した。二極化の構造とメーカーへの影響を分析する。

AIの電力効率向上に向け、メモリ内で計算を行うイン・メモリ・コンピューティングが注目されている。米韓の研究チームは、軽量なAIモデルで多用される演算の非効率性を解消するため、配線をジグザグ状にした独自のメモリスタSoCを開発し、既存のGPUを凌駕する極めて高い電力効率を実証した。

AppleはBroadcomと2031年まで続く300億ドル超の供給契約を締結し、150億個以上の米国製チップを調達する。この大型投資は無線通信部品やカスタムASICの安定確保を目的としており、米国内の半導体製造基盤を強化する狙いがある。

Reutersが報じたDeepSeekの自社AI推論チップ計画と、Zhipu AIのカスタムASIC模索の背景を追う。AlibabaとBaiduが量産や上場の段階にある一方、両社は構想初期段階にとどまるという開発格差に焦点を当てる。

Intelは次世代プロセス「14A2」において、背面給電に加え前面配線も補助電源に用いる両面給電を検討している。微細化に伴う配線抵抗や電力供給の制約を克服する狙いだが、設計の複雑化やコスト増を招く可能性もあり、顧客獲得に向けた大きな岐路となる。

Micronは広島工場で新クリーンルームに着工し、2028年後半の装置搬入を目指す。最大1.5兆円規模の投資を通じて1γ DRAMなどの次世代AI向けメモリの量産能力を確保し、長期的な需要拡大に対応する開発・生産拠点としての役割を強化する。

Lenovoの最新ノートPCに米規制対象の中国YMTC製SSDが採用されていることが、実機レビューにより判明した。公式仕様表には供給元が明記されないため、企業の調達担当者は性能差や規制リスクの観点から実装部品を注視する必要がある。
AIデータセンターの急拡大に伴う高帯域幅メモリの需要増により、一般向けを含むメモリ市場全体で深刻な品薄と価格高騰が続いている。業界団体のSEMIは、政府の直接的な価格介入は市場を歪めるとして反対し、税制優遇などの財政支援を軸とした対策を提言した。