テクノロジー
AI電力危機が深刻化する2026年、CHIPS法が2億5000万ドルで仕掛けた地熱×半導体の勝負
米商務省がCHIPS法に基づきI-Pulseとの2億5000万ドル確定合意を締結。同社のSiC半導体はパルス電力で地熱掘削コストを3分の1以下に削減する技術に転用され、BHP・Codelco・リオ・ティントなど鉱業大手が出資する「AI電力問題×地熱」の垂直統合戦略が注目を集める。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
全 1,079 件 / 90 ページ
テクノロジーHBMの8割を握る韓国が900兆ウォン投資に踏み切る：AI急需要とCXMT台頭の二重圧力
Samsung・SK hynixが韓国南西部に計900兆ウォン（約5,800億〜6,500億ドル相当）を投じる「第二の半導体ベルト」構想を発表した。HBMの世界供給の約8割を握りながら中国CXMTの台頭とAI需要急増に迫られる韓国の、国家的賭けの内実を解剖する。
テクノロジーDRAM価格高騰のために共謀したとしてSamsung・SK hynix・Micronが集団訴訟を起こされる：DRAM寡占90%の代償
Samsung・SK hynix・Micronの3社は世界DRAMシェアの約90%を握り、今回で3回目となる連邦集団訴訟の被告に立たされた。過去の刑事有罪前歴とAppleの同日値上げが示す市場支配力が、原告側の中心的な武器となる。
テクノロジーDRAMとNANDの高騰はいつ終わるのか？Micron、Samsung、SK hynixが示す2028年の条件
AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。
サイエンス100年来の物理法則を破る「一方通行の熱放射」：次世代デバイスが拓く排熱ゼロの未来
大阪公立大学などのチームは、磁気光学材料と相変化材料を組み合わせ、熱の吸収と放射の割合を独立して制御する非相反熱放射デバイスを開発した。ほぼ垂直な角度での動作に加え、電力供給なしで状態を保持できる不揮発性を実現し、熱利用効率を劇的に高めた。
テクノロジー学歴より実力、格差は3倍：SK hynixの採用攻勢がSamsungと韓国ファブレスを追い詰める
AI向けHBMの記録的収益を背景に、SK hynixが設計エンジニア数百人規模の採用と学歴要件廃止を同時実施した。ボーナス格差が拡大する中でSamsungからの人材流出が指摘され、韓国ファブレス中小企業の人材確保にも深刻な影響が及びつつある。韓国半導体エコシステムの重力構造が塗り替わりつつある。
テクノロジーMarvellのCXL戦略は圧縮とプーリングへ：StructeraがAIサーバーのメモリ不足に迫る
MarvellのCXL製品群「Structera」は、インライン圧縮技術により物理容量を超えるメモリ拡張を実現し、AIサーバーの設計制約を解消する。CPU外の専用デバイスで圧縮や計算、ラック内でのメモリ配分を行うことで、次世代の効率的なメモリ階層を構築する。
サイエンススマホ単体で画像生成AIが動く未来へ。TPUの40倍省電力な「ハフニウム強誘電体メモリ」の衝撃
ソウル大学の研究チームは、強誘電体メモリの電圧制御により、決定論的な演算と確率的な乱数生成を自在に切り替えられる新素子を開発した。電子の揺らぎを利用して生成AIに必要なカオスと秩序を単一デバイスで両立し、電力効率と省スペース化を劇的に向上させた。
テクノロジー中国産メモリは「内需止まり」なのか、Micronが認めたCXMT・YMTC台頭の現実
米Micronは決算説明会で、中国のCXMTとYMTCが市場シェアを伸ばしている現状を認めた。中国勢は国内需要を吸収する供給源として存在感を増しており、AI需要による世界的なメモリ供給逼迫が続く中で、国際的な需給や価格形成に波及し始めている。
テクノロジーIBM、2nmより50%速く70%省エネな「0.7nm」ナノスタック技術の開発に成功
IBMが世界初のサブ1nm半導体技術「ナノスタック」を発表。トランジスタを3次元に積層する新設計で爪サイズのチップに約1000億個を集積し、2nmチップ比で最大50%の性能向上または70%の省エネを実現した。量産化は5年後の見通しで、Rapidusなどとの製造ライセンス展開が焦点になる。
テクノロジーASMLとTNOが光チップ量産化へ、欧州のInPラインが製造実証の段階に入る
オランダの研究機関TNOとASMLは、次世代光チップの産業化に向けた提携を発表した。建設中のパイロットラインに露光装置や計測技術を導入し、製造工程の安定性を高めることで、研究段階から高品質な量産体制への移行を加速させる狙いがある。
テクノロジーメモリの壁をDRAMの下から崩す：QualcommのHBCが133 TB/sを叩き出す仕組み
QualcommがHBC（High Bandwidth Compute）技術を発表。LPDDRメモリ直下にコンピュートを3D積層するアーキテクチャでカード1枚あたり133 TB/sの実効帯域幅を実現し、HBM依存のNVIDIAアーキテクチャに対してコスト・電力効率・製造能力の三正面から挑む。