
Samsungが8インチ半導体生産から全面撤退へ、2030年末までに年最大240万枚の生産能力が消失する可能性
サムスン電子が8インチファウンドリを2030年末までに全面終了する計画を顧客に通知したと韓国The Elecが報じた。止まる生産能力は年換算で最大240万枚と、2025年のVISの約7割。系列に移管先があるTSMCの縮小と異なり、8インチ受託の逼迫要因になるとみる根拠と、見立てが崩れる条件を示す。
Topic
Semiconductor Manufacturing
全 1,140 件 / 95 ページ
30年のASML独占に初めて価格競争が生まれる:ニコンが垂直統合で挑むDUV市場
ニコン新社長・大村泰弘氏が2026年5月29日、垂直統合モデルを武器にASMLが30年近く独占してきたArF液浸リソグラフィ市場への再参入を表明した。AI半導体需要急増によるDUVツール逼迫がデュアルソーシング需要を生む中、垂直統合によるコスト優位の構造と2028年度の量産計画の実現可能性を分析する。
量産経験ゼロのRapidusはなぜ2ナノに挑めるのか。2.9兆円が支える3つの迂回策
量産経験を持たないRapidusが、IBMやimecからの技術供与とRUMSという生産方式、2.9兆円規模の政府支援を組み合わせて2ナノ世代に挑む構造を、1988年からの日本半導体凋落史とともに解説する。
なぜTSMCとSamsungはHigh-NA EUVの導入を遅らせ、Intelは18Aで先に使うのか
High-NA EUVの採用時期は、装置の解像度より良品ウェハー当たりの総費用と量産学習の価値で決まる。TSMC、Samsung、Intelの判断差を既存資産と工程削減の採算から読み解く。
マスク氏の「FEL FTW」発言は東京エレクトロンも無縁でない、EUV光源が迫る調達構造転換の兆し
Elon MuskがXで示唆した自由電子レーザー式EUV光源は、ASML独占への即時の脅威ではなく、光源を装置の部品から工場インフラへ変える技術的な一石だ。X投稿の時系列を分単位で再構成し、xLightへの政府出資規模とTerafab投資額の差を試算する。
制裁下でIntel第12世代に肉薄。中国Loongson「完全国産CPU」の驚異の設計力とは
中国の半導体メーカーLoongson Technologyは、米国の輸出規制により最先端プロセスが使えない中、成熟した12nmプロセスで高性能CPU「3B6600」とGPU「9A1000」を開発した。これらのチップは、それぞれIntel第12世代CoreプロセッサやAMD Radeon RX 550に匹敵する性能を達成し、中国の技術自給自足と地政学的サプライチェーンに大きな影響を与える可能性がある。
EUV装置は不要。Huaweiが米国の制裁に対抗する新アーキテクチャ「LogicFolding」を発表
中国Huaweiは、米国の制裁により最先端半導体製造装置へのアクセスを断たれた状況を打破するため、「Tau Scaling Law」と「LogicFolding」という革新的な設計パラダイムを発表した。これは、微細化の限界に直面する従来のムーアの法則に代わり、回路の信号伝播遅延を極限まで短縮し、論理回路を物理的に折り畳んで積層することで、性能向上と高密度化を実現するものである。
TSMC、1.4nm半導体を2028年後半に量産へ Intelとは異なり次世代EUVをあえて使わない理由
TSMCの1.4nm(A14)は2027年試産、2028年量産へ順調に進む。High-NA EUVを見送るLow-NA多重露光とNanoFlex Pro、2029年に97%光学微縮を行うA13がもたらす歩留まりと経済性の優位を解説する。
AIデータセンターブームが消費者向け電子機器のチップ不足を招いている。同じ種類のチップを使っているわけでもないのに
データセンターの需要増が消費者向けデバイスのチップ不足を引き起こしており、AIシステム向けチップと消費者向けチップでは最適化される特性が異なる。半導体産業は寡占市場であり、少数の企業が市場を支配し、高利益率製品への投資を優先するため、供給不足と価格高騰が続いている。
AI半導体の詰まりは「後工程」で起きている:CoWoS容量が9倍でも足りない理由
TSMCの先端パッケージング技術CoWoSは3年で月産能力が約9倍に拡大したが、需給ギャップはなお約10%残る。歩留まりの物理的な壁と、NVIDIAが容量の過半を確保する商流構造という二つの制約を、一次資料と複数の推計から読み解く。
EUV装置を独占するASMLのCEO「欧州の製造投資は順番が逆だ」と警告
ASML CEO Christophe Fouquetが「欧州に2nmファブを作っても、ウェハーのほとんどは米国に流れる」と断言した。欧州委員会がChips Act 2.0(1200億ユーロ計画)を発表した2週間後に出た「製造より需要が先」という発言は、EU政策の設計思想そのものへの批判だ。先端AI向けチップの購入の約80%を米国が占めるとされる中、欧州が需要創出なき製造投資を続ければ「他地域のための工場」になりかねないという警告の重さを読み解く。

信越化学は2026年10月27日の決算説明で、契約量を超えるシリコンウエハーの値上げを一部顧客に適用したと説明した。7月の説明では既存契約の満了は最も早い顧客で2027年末だった。値上がりの順序を、同社の発言から読み解く。

IntelがPC向け18A能力の一部をIntel 3のXeon増産に回す計画を示した。対象製品と次世代Xeonの工程を整理し、2027年後半の生産目標や基板不足から、出荷が増える条件を読み解く。

Samsungが2027年に先端プロセスの稼働率100%超を見込むと発表した。2nm案件の倍増を掲げ反転攻勢を狙うが、示された指標は将来予測や案件数にとどまる。単独損益の非開示や歩留まりの壁を検証し、ファウンドリ事業が直面する真の課題を探る。

Intelの2026年7〜9月期決算で、データセンター向けDCAI部門の営業利益30億3900万ドルが全社の25億2200万ドルを上回った。部門別の営業利益を並べて黒字の構造を読み、前年から倍率が下がった理由と、次の決算で見る数字を示す。

SiCウェハの欠陥をX線トポグラフ法で調べる国際規格IEC 63068-5が2026年10月に発行された。光学検査やPLでは分類しにくい欠陥を補う位置づけで、SEMIの2規格との範囲の違いとシリーズ内の位置を、規格の序文と要旨から読み解く。

TSMCのA14は、SRAMセル面積を0.017µm²未満へ縮小する。2022年の3nm研究やN2の公表値、用途別のセルを比較し、「8年停滞」という評価の範囲と今後の判断材料を探る。

Samsungの8LPU+は従来工程より電力を15%削減するとするが、Switch 2 Liteとの関連は発端の著者自身による推測だ。回路別の改良と現行機の電池仕様から、数字の意味と限界を整理する。

Solidigmの米国NAND工場を巡り、450億ドル規模の協議が報じられた。IPO検討終了後の資金調達と、中国工場向け装置輸出の用途別方針を照らし、投資案に残る判断を読む。

SK hynixは2030年までメモリ需要が供給を上回ると予測した。年末のHBM4増産と韓米の新拠点計画を工程別に並べ、クリーンルーム開設と量産の違いから供給見通しを読む。

SK hynixの6F²延伸方針を、寸法F、セル面積の係数、ウェハー接合の三つから読む。仮定を明示した面積計算とMicronの開発経路の比較で、構造名だけでは分からない違いを示す。

半導体テスター大手のTeradyneが2026年7〜9月期の決算を発表した。売上高は前年同期比70%増の13億600万ドルだが、前期比では1.7%減り、10〜12月期ガイダンスの中央値13億ドルもこれを下回る。増収率の高さの内側で進む売上の横ばいを、一次資料の数字から読む。