テクノロジー
Micron、20年以上研究した「4F² DRAM」の採用を断念、次世代メモリは6F²と3D構造へ
Micronは4F² DRAMを採用せず、6F²の延伸と3D DRAM開発を進める。キャパシタピッチを重く見る判断を、SK hynixの動作実証やキオクシアの研究と照合し、密度と量産性の違いを読む。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
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テクノロジー中国YMTCがSamsungを逆転、NAND市場シェア38.5%に 韓国2社が現地工場の刷新を急ぐ
Samsungの西安工場を286層、SK hynixの大連工場を240層以上へ更新する計画をReutersが報じた。公式技術資料とBIS声明から、記憶密度、ウェハー処理能力、装置輸出許可の違いを読み解く。
テクノロジーLam Researchの9月期売上は前四半期比22%増、増収の99.1%は新規装置
Lam Researchの9月期決算は、新規装置の販売増が前四半期からの増収をほぼ一手に担った。売上区分の比較から成長の内訳を読み解き、利益率の改善と次四半期見通しを確認する。
テクノロジー東北大学が半導体開発の新拠点「T-CHIPS」を始動、企業に先端設備を開放へ。次世代チップの実用化を後押し
東北大学が半導体後工程の研究開発コンソーシアム「T-CHIPS」の始動を発表。SIRC、GINTI、NanoTerasuの役割と利用条件を比較し、企業との試作・分析支援や、2026年度の会費無料の範囲を確認する。
サイエンス理研、5個の量子ビットを1本の制御線で同時操作に成功、99.9％の高精度を達成
理研らが1本の共有マイクロ波線で5個のシリコンスピン量子ビットを同時制御した。3個では各99.99％超、5個では約99.9％の基本ゲート忠実度を達成。位相補正の仕組みと較正数の増え方、駆動電力や測定条件の限界を論文から読み解く。
テクノロジーTSMC、Intelの先端半導体製造を支援する可能性を示唆、供給不足なら競合顧客も救済か
TSMCは5倍レチクル品の量産を強調し、競合の供給不足時も顧客を支援する構えを示した。Intelの研究実証との違い、切り替えに必要な設計と検証、GFの2028年増産計画から、その実効性を読み解く。
テクノロジー米工場建設の条件に中国向け装置輸出、SK hynixの交渉をReuters報道
SK hynixが米NAND工場建設の条件として中国・大連向け装置の輸出許可を求めているとReutersが報道。BISの公表方針と公式投資計画から、稼働維持と増産の境界、AI向けSSD供給の時間差を読み解く。
テクノロジー中国がEUV光源の試作機を初公開、国産化率90％を主張も量産にはあと3〜5年
朗道燧岩が上海でEUV光源試作機を初展示し、国産化率90％と説明した。公式仕様とASMLの開発経緯から、低出力と高出力の段階差、入力レーザーとEUV出力の違い、集光鏡の寿命が量産に与える意味を読み解く。
テクノロジーIBMとSiemensが0.7nm技術で研究協業、積層トランジスタの配線と熱をどう扱うか
IBMとSiemensが、立体トランジスタの配線や熱を扱う設計・製造研究で協業する。初期PDKの提供計画と研究結果を照合し、ナノスタックの回路設計に残る課題と量産までの段階を説明する。
テクノロジー中国CXMTが次世代DDR5を年内投入へ、Samsungより「2年先行」は本当か？ 4F²技術の実力に迫る
CXMTが4F²アーキテクチャのDDR5 RDIMMを年末に投入すると発表したが、仕様は一切非公開だ。韓国市場はSK hynix・Samsung株を急落させたが、根拠となった34%の試算は前提ノードを変えるだけで符号が反転する。公表されていない一点が強気と弱気の分かれ目になっている。
テクノロジー日米が最大210億ドルの半導体投資計画、米国に新工場2棟：年間180万枚の生産能力を目指す
GFは日本が最大210億ドルを供給する日米構想で、ニューヨークの新工場2棟の技術と運営を担う。2029年の稼働開始と年180万枚の能力計画を区別し、CHIPS支援の再配分、ルネサスの需要、過去の投資計画との関係を読み解く。
テクノロジー次世代Kirinは試験で「期待通り」、Huaweiが回路の接点をさらに細かくする狙い
Huaweiは次世代Kirinの試験結果が期待通りだと説明した。接合間隔を1.5μmから1μmへ縮める狙いを、公式発表と開発責任者の論文から読み解く。試作の到達点と製品の量産、性能評価は分けて捉える必要がある。
