
半導体の発熱限界を突破か、量子トンネル効果を利用した新素子
香港理工大学などのチームが、2次元ビスマスとInSeのヘテロ接合により、室温でボルツマン限界(60 mV/dec)を下回る急峻なスイッチングと実用的なオン電流を両立するトンネルFETを開発した。
Topic
Semiconductor Manufacturing
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香港理工大学などのチームが、2次元ビスマスとInSeのヘテロ接合により、室温でボルツマン限界(60 mV/dec)を下回る急峻なスイッチングと実用的なオン電流を両立するトンネルFETを開発した。

MediaTekが先端パッケージ人材の採用を広げている。公式求人と技術資料から、AI ASICを設計、量産、調達まで一体運用する狙いを読み解く。

中国の7nm以下ウェハー供給不足率が2035年に34%へ縮む予測を、能力増強、歩留まり、輸出規制、技術世代の差から一次資料と周辺情報を用いて検証する。

TSMCの先端パッケージング技術CoWoSは3年で月産能力が約9倍に拡大したが、需給ギャップはなお約10%残る。歩留まりの物理的な壁と、NVIDIAが容量の過半を確保する商流構造という二つの制約を、一次資料と複数の推計から読み解く。

量産経験を持たないRapidusが、IBMやimecからの技術供与とRUMSという生産方式、2.9兆円規模の政府支援を組み合わせて2ナノ世代に挑む構造を、1988年からの日本半導体凋落史とともに解説する。

Samsung Electronicsが、2017年から量産実績のあるALEをlow-k材料加工へ拡張する際の課題をJVST A誌に発表。90度の垂直角という利点と化学的損傷という新たな壁、日本企業サムコとの違いを整理する。

富士通は144コアMONAKAでN2PコアとN5のSRAM/I/Oを3D統合する。2027年出荷に向け、今後、推定性能と積層部の実測検証が残る。

理研などが2µm固体レーザーを用いたEUV光発生でマルチレーザー照射法を実証。スズ平板ターゲットにおいて同一総エネルギーで変換効率を2.6%から3.6%へ高めた。

中国が2025年以降、台湾向けゲルマニウムや石英系材料の通関を公告なしに遅らせているとNikkei Asiaが報じた。納期が数カ月延びる例や受注喪失も出ている。提訴も代替調達も照準を定めにくい「サイレントな絞り込み」の手口と、日本の石英ガラスメーカーへ向かいうる代替需要を解説する。

IntelはDiamond Rapidsを最大256コアへ拡張し、16個のコアチップレットと2個のファブリックハブで再構成する。帯域上限は約1.6TB/sだが、実効性能は未公表である。

CerebrasのCS-4は、同じ5nmウェハーの電力・冷却・I/Oを再設計し、ウェハー当たりのピーク演算性能を2倍にした。性能主張の条件と量産性を検証する。

Micronのフェローは2026年8月23日のHot Chips 2026で、AIアクセラレータの演算性能が2年で3倍伸びる一方、HBM帯域幅は2倍未満しか伸びないと警告した。同社が2ヶ月前に発表した記録的な決算は、需給逼迫という同じ現象の裏返しであることを示している。