テクノロジー
ZEISSが指摘する中国半導体のEUV格差：7nm以降で量産工程が複雑になる理由
中国はEUVなしで7nm SoCを商用化したが、DUV多重露光は微細化に伴い工程と位置合わせを増やす。ZEISSの指摘を基に、量産性とHuaweiの別解を検証する。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
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サイエンステラヘルツ波を「1枚のチップ」に収める。UCLAが30年の壁を崩した量子井戸の転用
テラヘルツ波は透視や高速通信に有用だが、装置の巨大さと高コストが普及の壁だった。UCLAの研究チームは、光通信分野の標準的な量子井戸構造を転用し、主要機能を一枚のチップに統合する技術を開発し、システムの劇的な小型化と量産化への道を拓いた。
テクノロジーSamsungなどメモリ3社、CXLコントローラー内製を縮小か 製品開発は継続
Samsungなどメモリー3社がCXLコントローラーの内製を縮小したと報じられた。製品開発は続き、制御チップの外部設計を取り入れる分業が進みつつある。
サイエンス細くなるほど電気が通る、銅インターコネクトを代替するNbAsナノワイヤの開発に成功
半導体配線の微細化に伴い銅の電気抵抗が急増する物理的限界に対し、コーネル大学の研究チームはトポロジカル半金属のニオブ砒素を用いた新技術を開発した。この物質は配線が細くなるほど導電性が向上する特性を持ち、次世代チップの性能向上に寄与する。
サイエンス米国がSi-28純度99.9999%を達成、量子半導体向け同位体供給網を国内で再構築
米エネルギー省は、量子コンピューターの雑音源となる核スピンを極限まで排除した、高純度なシリコンとゲルマニウムのガス製造技術を発表した。同位体濃縮から成膜ガスへの変換までを米国内で完結させ、量子デバイスの性能向上と供給網の強化を目指す。
テクノロジーASMLが露光装置の値上げに動く、TSMCの抵抗が映すAI時代のDUV需要
半導体露光装置最大手のASMLが、AI需要に伴う装置不足を背景にEUVとDUVの値上げを画策し、主要顧客のTSMCが抵抗している。交渉の行方は、先端チップ製造に不可欠な装置の希少性から生じる利益を、メーカーと顧客のどちらが享受するかを左右する。
テクノロジー台湾・台塑が電子級フッ酸を値上げ、AI半導体増産と原料高が同時進行
台湾の台塑は、先端半導体の増産に伴う需要拡大と原料価格の高騰を受け、2026年第3四半期に電子級フッ酸などの値上げを実施する。供給能力の増強も進めているが、稼働開始は2027年になる見通しであり、当面は需給の逼迫が続く懸念がある。
テクノロジーCXMT、DRAMウェハー投入能力でMicronの9割超へ 2026年末推計
CXMTの2026年末DRAMウェハー投入能力はMicronの9割超に迫る見通しだ。だがビット出荷量、製造コスト、HBM量産力ではなお差が残り、同じ月産枚数でも供給価値は異なる。
テクノロジーIntelがHigh-NA EUVを初めて量産投入、Panther Lakeの一部で顧客出荷
IntelはHigh-NA EUVを使ったPanther Lakeの一部を初めて顧客出荷した。18A全体の切り替えではなく、特定レイヤーを従来型EUVと二重認定した量産実証である。
テクノロジー中国半導体輸出「ほぼ倍増」の内訳、数量より価格が動いた2026年上半期
2026年上半期の中国のIC輸出額は前年同期比で約96%増と急伸したが、輸出数量の伸びは6.9%に留まった。この乖離は世界的なメモリ価格の高騰が主因であり、輸出額の急増をそのまま中国の生産能力や技術水準の大幅な向上と見なすには注意が必要である。
テクノロジー米国SiC製造の40％超へ、Boschがローズビルで200mm工程を始動
Boschは米国の工場で200mmウェハーを用いた炭化ケイ素半導体のサンプル生産を開始し、2026年中の商用生産を目指す。巨額の公的支援を受け米国最大級の拠点となる見込みだが、EV市場の減速や競合の台頭を背景に、歩留まりの改善と稼働率の確保が成否を分ける。
テクノロジーカスタムAI半導体を部品から組む、TYLsemiが4300万ドルで狙う開発期間の最大50%短縮
米国のTYLsemiは、AI半導体開発の周辺機能を共通化するチップレットと量産支援モデルを発表した。入出力や電力供給を担う再利用可能なダイを提供することで、顧客が独自の計算回路設計に専念でき、開発期間と費用の大幅な削減が可能になるとしている。